ITO薄膜的制备以及性能的研究.pdfVIP

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ITO薄膜的制备以及性能的研究.pdf

30 2011 (42) * IT O 董科研, 周 明, 王静静, 吴小麟, 高传玉 ( , 212013) : 在室温条件下通过直流磁控溅射法在普通 , 20min , 玻璃 体上制备了光电性能优良的IT O 薄膜靶材 3~ 5 , , 2 3 2 为IT O 陶瓷靶, 其中In O 与SnO 的质量比为91 100 , 30min , 运用U V2550 紫外可见光光度计测量样品的透光率, 采用SZT2 四探针测试仪测量样品表面的电阻率, 用 Ar , 扫描电镜( SEM) 对样品进行表征研究了溅射压强 5mm, ITO 12 溅射功率等参数对薄膜光电性能的影响研究表明, 1 ITO IT O 薄膜的电阻率随着溅射功率的增大而减小, 在溅 Table 1 T he preparation of ITO films under different 射功率为110W 时IT O 薄膜的透光率有相对好的数 sputtering pow er 值溅射压强为1. 0Pa 时既能保持 ITO 薄膜低的电 样品 Ar 流量 溅射时间 溅射压强 溅射功率 阻率又能保证高的透光率 代 号 ( ML/ L) (m in) ( Pa) (W) : ITO; ; ; 1 40 30 1. 0 50 : TB332; O484; TB43 : A 2 40 30 1. 0 80 : 2011) 030 04 3 40 30 1. 0 110 4 40 30 1. 0 140 1 5 40 30 1. 0 170 2 ITO ( ITO) n , Table 2 T he preparation of ITO films under different sputtering pressure [1] 样品 Ar 流量 溅射时间 溅射压强 溅射功率 , 代 号 ( ML/ L) (m in) ( Pa) (W) a 40 30 0. 4 110 IT O b 40 30 0. 110 , c 40 30 0. 8 110 , d 40 30 1. 0 110

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