空位对普通和掺氮直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ １０ 犞狅犾．２９ 犖狅．１０ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ １０ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犗犮狋．２００８ 空位对普通和掺氮直拉硅单晶中氧沉淀形核的作用  姜翰钦 马向阳 杨德仁 阙端麟 　 　 　 （浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州　３１００２７） 摘要：研究了普通直拉（ ）硅单晶和掺氮直拉（ ）硅单晶在氩气氛下进行 ／ 的快速热处理（ ）后，再经 犆犣 犖犆犣 １２５０℃ ５０狊 犚犜犘 的不同温区内的缓慢升温处理和 保温处理后的氧沉淀行为 研究表明，由 引入的空位在 ６００ １０００℃ １０００℃ ． 犚犜犘 ７００ ～ ～ ８００℃间缓慢升温退火时对 犆犣硅中氧沉淀形核的促进作用最显著，而在 ８００ ９００℃间缓慢升温退火时对 犖犆犣硅中氧沉 ～ 淀形核的促进作用最显著；在 以上，氮促进氧沉淀形核的作用比空位更强 此外，提出了适用于 和 硅片的基 ８００℃ ． 犆犣 犖犆犣 于高温 犚犜犘和低温缓慢升温热处理的内吸杂工艺． 关键词：直拉硅单晶；氧沉淀；形核；空位 ： 犘犃犆犆 ６１７０ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３０４１ 犃 ０２５３４１７７２００８１０１９８４０４ 　　　 　　　 ２ 实验 １ 引言 　 　 采用 型、〈 〉晶向、直径为 、电阻率均约 狀 １００ １５０犿犿 业已表明，空位在一定条件下对直拉硅（ ）单晶 为 · 的 和 硅片为实验样品，由 犆犣 １０ 犮犿 犆犣 犖犆犣 犅狉狌犽犲狉 Ω ［ ］ 中的氧沉淀有显著的促进作用 利用空位的这一作用