低电阻p_DBR结构模拟分析.pdfVIP

支撑技术 Supporting Technology 低电阻p-DBR结构的模拟分析 马丽娜，郭霞，盖红星，渠红伟， 董立闽，邓军，廉鹏，沈光地 （北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京市光电子技术实验室，北京 100022） 摘要：设计了低电阻的渐变型分布布拉格反射器 （DBR）结构，模拟分析了采用渐变p-DBR结构对 价带能带的影响，并详细讨论了渐变形状、渐变区宽度、掺杂浓度等参数对低电阻渐变DBR结构的价带 势垒的影响。利用MOCVD技术制备了实验样品，模拟结果与实验数据基本吻合。 关键词：渐变布拉格反射器；渐变形状；价带势垒 中图分类号： TN248.4文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2005)06-0056-04 DENG Jun, LIAN Peng, SHEN Guang-di ( Beijing Optoelectronic Technology Lab, Beijing,100022, China) Abstract