二氧化锆栅介质薄膜光学和电学特性研究.pdfVIP

维普资讯 马春雨 等：二氧化锫栅介质薄膜光学及电学特性研究 491 二氧化锆栅介质薄膜光学及 电学特性研究’ 马春雨 ，李 智。，张庆瑜 (1．大连理工大学 三柬材料改性国家重点实验室，辽宁 大连 116024；2．大连大学 机械工程系。辽宁 大连 116622) 摘 要： 采用反应 RF磁控溅射法在氧气和氩气的混合 气氛 溅射时靶与基 片之 间距离为 80mm，金属锫靶 (其纯度为 中制备了具有较高介电常数、较宽光学禁带间隙的zr0。薄膜。 99．99 )直径为60mm，厚度为5mm，基片为未经 HF酸腐蚀的 利用变角度光谱椭 圆偏振仪研究了不 同O2／Ar流量 比下制备 n型Si(100)单晶片，其厚度为 420~m，电阻率为 2～4fl