数字专用集成电路设计.pptVIP

数字专用集成电路设计2 陈禾 内容: CMOS电路基础知识 MOS管基本理论 CMOS基本电路 CMOS电路基础知识 MOS器件是VLSI基础 MOS器件有nMOS和pMOS两种类型，以及两种类型的结合-CMOS器件 CMOS为目前VLSI的主流工艺 MOS晶体管基本工作原理 nMOS管：电子作为导电载流子 pMOS管：空穴导电 MOS晶体管基本工作原理 增强型nMOS 三极管立体构造 MOS晶体管基本工作原理 图为MOS三极管版图示意图,即芯片表面顶视图。在加工时P型硅上先加工多晶硅栅极，再加工扩散层的D和S，因此扩散层版图中，源、漏极连成一线。 MOS晶体管基本工作原理 nMOS三极管剖面图 MOS晶体管基本工作原理 反型层的形成 MOS晶体管基本工作原理 反型层和n型硅都依靠自由电子导电，但自由电子产生的方法不同。 n型硅是在制造过程中由扩散掺杂工艺产生 反型层则由栅极电压感应产生 故MOS管又称场效应晶体管 MOS晶体管基本工作原理 Vtn是MOS晶体管的一个极其重要的参数 Vtn可在制造过程中加以控制 Vtn取的太大，晶体管不易导通，要求很大的驱动电流才能导通 Vtn取的太小，晶体管不易截止，抗干扰能力变差 通常Vtn ?0.2VDD MOS晶体管基本工作原理 nMOS管不同Vds情况下的沟道特性 Vgs ≥ Vtn, Vds=0; Vds≤ Vgs - Vtn; VdsVgs-Vtn MOS晶体管基本工作原理 当VgsVtn时为截止状态，Ids ＝0，晶体管不导通。 当VgsVtn ， Vds≤ Vgs - Vtn时为线性状态， Ids现随Vg的增加而增加，也随Vds的增加而增加。 当VgsVtn ， VdsVgs-Vtn时为饱和状态，Ids只随Vg的增加而增加，但不随的Vds增加而明显增加。 当然，Vds有一定限制，电压过高，晶体管将被击穿。 MOS晶体管基本工作原理 nMOS管V-I特性 MOS晶体管基本工作原理 nMOS器件理想设计方程 MOS晶体管基本工作原理 阈值电压大小取决于： 栅极材料 栅极绝缘材料 栅极绝缘层厚度 沟道掺杂浓度 源极与衬底之间电压 环境温度：随温度升高而降低 调节阈值电压大小方法： 用离子诸如法改变沟道掺杂浓度 采用不同栅极绝缘材料 MOS晶体管基本工作原理 在数字逻辑电路中，工作速度是一项很重要的指标。 电子从源极运动到漏极所需时间： τ=L2/μnVd ，也称MOS管的切换时间。 μn为常数，在Vd一定时，τ与L2成正比。 因此为提高电路的工作速度，沟道长度L做的越短越好，所以L通常是加工集成电路中最细的线条宽度。这取决于加工的精度。加工精度提高2倍，工作速度可提高4倍。这也是集成电路要千方百计提高加工精度的一个重要原因。 MOS晶体管基本工作原理 还可从MOS管的过渡过程来分析其工作速度。通常数字电路输出端连到下一级电路的栅极，带的是栅极电容负载Cg。晶体管栅极与沟道形成一平板电容：Cg=(ε·WL)/Tox 。MOS管的输出电阻为Rc，故过渡过程的时间常数为： Rc Cg＝ L2/μn（Vgs－Vd） 与上页有类似的形式，进一步说明τ与L2成正比。 迁移率μn ?2.5 μp，因此在相同情况下，nMOS管比pMOS管工作时间快。 CMOS基本电路 MOS开关 MOS开关 不管是nMOS还是pMOS，其导通条件是： |Vgs ? ? ? Vt ? 饱和条件是： |Vgd ?? ? Vt ? nMOS开关 MOS开关在转换过程中，要对CL进行冲放电 CMOS逻辑电平 CMOS逻辑 An n -channel transistor provides a strong 0, but a weak 1. A p -channel transistor provides a strong 1, but a weak 0. CMOS technology produces strong 0 logic levels as well as strong 1 logic levels. CMOS基本电路 CMOS反相器 CMOS基本电路 CMOS反相器传输特性曲线 CMOS基本电路 CMOS反相器传输特性曲线 CMOS基本电路 在A区，输入为逻辑“0”，对应的输入电压为0≤Vin≤Vtn，n管截止，p管导通，并处在线性工作区。无电流流过反相器，VDD经p管输出。反相器输出完整的逻辑1电平。 在E区，输入为逻辑1，对应的输入电压为Vin≥VDD-∣Vtp∣，n管导通，处于线性工作状态。p管截止，无电流流过反相器。反相器输出为完整的逻辑0电平。 CMOS基本电路 在B区，输入电压增加到刚好超过n管的阈值电压Vtn，其电压