片式元件立碑工艺缺陷的分析与解决.pdfVIP

维普资讯 专家论坛 Http：w／／ww．smte．net 摘【 要】 微型片式元件立碑是电子组装过程常见的工艺缺陷，特别随着电子产品的微型化，立碑的问题越来越突出，本文系 统介绍了片式元件立碑的机理及主要影响因素，提出了通过设计、工艺、设备的优化来解决立碑缺陷的主要措施。 【关键词】片式元件，立碑，机理，消除 得微型片式元件组装所面临的加工缺 组装过程中，立碑现象是与气相回流 电 蓑 陷成为应用中的主要挑战，而微型片 焊、红外回流焊工艺强相关的问题。 来越低、外形越来越小，对元器件的 式元件最常见的缺陷之一便是立碑。 气相回流焊接中，立碑的主要原因是 要求则是尺寸越来越微型化，这不仅 由于元件升温过快，升温时没有一个 表现在诸~I：IB6A、CSP、OFP等封装形 1．立碑缺陷的机理分析 均热的过程再达到焊膏融化，导致热 式的有源器件 的尺寸缩减 、间距变 立碑缺陷即所谓的 墓碑 (tombs 容量有差异的元件两端焊膏不是同时 小，电容和电阻之类的分立元件的尺 toning)、吊桥 (drawbridging)、石柱 熔化，器件两端的润湿力不平衡导致 寸也要求相应减小，图1左边所示为 (stonehenging)和曼哈顿 (Markattan) 立碑现象发生。而红外回流焊接，焊 片式元件微型化的发展趋势，图1中 现象，都是用来描述如图2所示的片 盘、焊膏、焊端颜色的差异导致吸收 右边部分为0402、0201与火柴头、蚂 式元件工艺缺陷的形象说法，这类缺 热量的不同，引起两端焊膏不同时融 蚁的尺寸对比。 陷的典型特点就是元件一端在回流焊 化，器件两端的润湿力不平衡而引起 由于手机等移动终端类产品的多 过程中翘起一定角度。在早期的表面 立碑。 功能化、小型化趋势，使得手机内部 随着片式元件焊端质量的提高、 的元器件贴装密度迅速增加，微型片 热风回流焊的广泛使用以及对回流曲 式元件的使用量加大。目前3G手机上 线的优化研究，立碑现象逐渐减少， MLCC、Chip—R、片式电感器的用量激 已经不是SMT组装过程中的一个重要 增，由平均300多只增长~J6oo多只， 问题了。但是，近两年随着电子产品 片式电感的用量增加一倍达到60只以 功能多样化、尺寸小型化带来的器件 上。随着这些0402、甚至0201微型封 微型化 ，特别是移动终端类产品中 装元件使用的迅速增加，以及组装密 0402封装器件的大量使用，立碑缺陷 度的不断提高、组装难度的加大，使 图2片式元件焊接过程中的立碑缺陷 又成为 电子组装工艺的一个主要缺 陷，对产品的加工质量、直通率、返 修成本都产生了很大的影响。 从机理上来分析，立碑缺陷产生