西安电子科技大学微电子硅集成习题答案.pptVIP

1 某npn硅晶体管在1200℃下进行基区氧化，氧化过程为：15min干氧加45min湿氧(TH2O= 95℃)再加15min干氧，求生成氧化层厚度。 解： NPN管基区氧化 ① 15分干O2 ： 由P131 表知： 1200℃，B＝ 7.5×10-4m2/min , A=0.040m , = 1.87×10-2m/min , = = = 0.53分 ＝32秒 t + t＊ , XO干1 (15′) = (干O2 初始氧化层厚 Xi = 200 ?. t* = 1.62) = t* = =1.62分 = 0.1116μm ② 45分湿O2 , B ＝ 1.2 × 10-2μm2/min , A = 0.05μm , t* = = =1.502分 ＝1.502′ XO湿（45′）＝ ＝0.747μm ③ 15分干O2 t* = = = 784′ XO干2（15′） ＝ ＝0.774μm＝7740 ? 3 某一硅片上面已覆盖0.2μm厚的二氧化硅，现在需要在1200 ℃下用干氧再生长0.1μm厚的氧化层，问干氧氧化的时间需要多少？ 已知： X。＝0.2μm , 再O干 长, XO干 = 0.1μm, T = 1200℃ 求：生长0.2 +