Mg、F+共掺p型SnO2薄膜的光电性质与研究.pdfVIP

Mg、F共掺P型Sn02薄膜的光电性质研究 廖巧生，李庆青，王智勇，杨瑞博，杨谢威，杜长运，懊正才·，牛憨笨 深圳大学光电工程学院 光电子器件与系统教育部重点实验窒(深圳大学) 广东，深圳518060 ·通信作者：zoxie@126．∞m 摘要：本文将Mg、F共掺Sn02，考察不同掺杂比例下对SB02薄膜光电性质的 影响，并探讨实现p-型非晶氧化物ⅡT的可行性。结果表明，采用Mg、F共掺 杂sn02，不仅能扩宽Sn02薄膜的光学带隙，同时随着掺杂置的增加，Sn02薄 膜的电阻率不断增加，霍尔测试结果说明，自由电子浓度不断下降，当靶材摩尔 比超过1：4时，薄膜呈P型导电特征。 p-西T 关键词：P型Sn02；共掺杂；MgF2；TCO 1、引言 未来透明电路及柔性显示集成需要有最基本的反相器电路，其中p-型TFT 是关键器件之一。近年来，有关氧化锡材料(SnO或Sn02)的p-型豇’T研究引 入注目。但Sn02薄膜一般易呈现n型导电特征，在非故意掺杂下存在大量的氧 空位，导致截流子浓度高，使得P型掺杂变得困难【l。】。Dhananjay等人州在富氧 环境下以金属Sn为蒸发源、硅衬底保持在100℃下制作Sn02薄膜，Sn02薄膜 在氧环境、100℃下退火lh，所得的薄膜呈P型特征。通过改变工艺参数，利用 hI，l、～16j、Lir7J等元素的掺杂也能制得P型Sn02薄膜。 本文将介绍一种新的制取P型Sn02薄膜的方法，采用Mg、F共掺杂制取P 型Sn02薄膜的方法获得了实验的验证。文中，我们将MgF2掺入Sn02靶材中， 电子柬蒸发平台下制作了不同掺杂比例的薄膜。考察薄膜的光电性质，发现靶材 2、实验 本文以M萨2tM)粉末和Sn02(S)粉末为原材料，以纯Sn02和摩尔比 r／min。球磨后， r／rain，自转转速为500 磨机，在空气中球磨6h，公转转速为250 将混合粉末取出，压成块状，压强为25Mpa，保压时间为5min。将块体放入高 温空气炉中烧结，烧结温度为700C，保温时间为3h，升温速度为4C／min，随 炉冷却。烧结完成后，便获得五个不同摩尔比的靶材，即Sn02靶材、MSl8靶 10一Pa， 并将所制备的MS薄膜在500℃、空气中退火处理30min。 373 3、实验结果与讨论 3．1、MS系列薄膜的透过率 图1为退火后的MS薄膜的可见光透过率光谱，每条谱线均已扣除衬底的影 响。图中，Sn02薄膜的可见光透过率大概在80％，而MS薄膜都在90％以上， 整体表现为M萨2的掺杂量越大，透过率越高。这是由于MgF2的禁带宽度高达 11eVI羽，在可见光及近红外区域的透过率在95％I)J,上，作为掺杂物，可以提高薄 膜的整体光学带隙。通过计算光学吸收系数@h)z～hv曲线可知，Sn02薄膜的光 学带隙为3．37eV，而MS薄膜均提高到4．OeV附近。 ∞ ∞ ∞ 恐 ∞ ∞ ∞ ∞ ^％)S云要管磊c甜JIJ- ∞ 俯 o ∞ ∞0 4∞5∞∞07∞8∞ Wavelength(nm) 图1退火后的MS薄膜的透过率曲线 fdms Transmissionof MS