非制冷红外探测器用PZT热释电陶瓷材料与研究进展.pdfVIP

非制冷红外探测器用PZT热释电陶瓷材料研究进展 郭少波，姚春华，曹菲，王根水，董显林 中国科学院上海硅酸盐研究所信息功能材料与器件研究中心，200050 摘要：本文从tt帛IJ冷红外探测器对热释电材料性能的基本要求出发，综述了国际雨l国内在锆钛酸铅 PZT热释电陶瓷方面的系列化研究成果，指出了我国热释电陶瓷材料研究的一些方向。 一、引言 红外探测技术是当今世界各国高新技术领域发展的一个热点，红外探测器(InfraredDetector)是红 外探测技术的应用基础，它是一类将入射的红外辐射信号转变成电信号输出的器件，主要包括热电 堆型、测辐射热计型、热释电型、光电型、量子阱型等。 热释电型红外探测器是一种被动式调制型温度敏感器件，通过目标与背景的温著米探测目标。 由于热释电敏感元材料本身无任何热辐射．故探测器无需制冷、因此也常称之为非制冷热释电红外 探测器。此外，这类器件还具有可在室温下使用、光谱响应宽、工作频率广、灵敏度高且与波长无 关、探测角度大、器件功耗小等优点，因此被广泛应用于国民经济和国防等诸多领域。如：在国防 领域，可用于红外制导、夜间警戒、目标侦查、热瞄准、车辆和舰船导航等：在民用领域，可用于 森林防火、入侵报警、气体检测、设备监控、医学诊断等。 本文从红外探测器对热释电材料的性能要求入手，回顾了国际上在PZT热释电陶瓷材料方面的 研究现状，重点介绍了中国科学院上海硅酸盐研究所近年来住PZT热释电陶瓷材料方面的研究进展。 二、红外探测器对热释电材料性能的要求 非制冷热释电红外探测器的核心芯片是加工成一定形状的具有热释电效应的功能材料，此类功 能材料涵盖单晶材料(如TGS、LiTa03单品、LiNb03单品、Srl．xBa、Nb60l5单品等)、陶瓷材料(如 ofMerit，FoM)。 数的组合可以获得不同评价材料热释电性能的新参数，即所谓的优值因子(Figure 通常使川的优值因子FoM如卜．： (1)电压优值|天l子：f=p／(ceeo)； (2)电流优值因子：f=P／C： (3)探测度优值因子：R=p／c(ceotan#)¨2． 上述各式中P为材料的热释电系数，c为材料的体积热容，￡为材料在使蚪J频率的相对介电常数，sn 为真空介电常数，tan8为材料在使用频率的介电损耗。F。适用于探洲元电容远火于放火器电容的场 66 性能最为恰当。总的来说，材料的热释电系数P和介电性能(包括介电常数s平¨介电损耗tan8)对 器件响应有着至关重要的影响。 在早期器件设计中，由于热释电材料本身的高阻性能，通常需要给热释电探测元并联一个较低 的电阻，以达到与场效应管(FET)阻抗匹配的目的，如图l所示。上世纪90年代以来，随着器件 小型化和集成化发展以及降低成本的要求，匹配电阻逐步被取消，这对探测元本身的电阻值提出了 更为苛刻的要求：如果电阻值太低，则在极化过程中容易击穿，不利于批量化生产；如果电阻值太 高，必然增大输入电路的时间常数，降低元件对信号的响应速度，有可能产生漏信号或使信号截至。 然而必须指出，电导损耗是材料介电损耗的组成之一，在某些对探测率和探测精度要求极高的场合， 如火灾预警、阵列成像领域等，又需要热释电探测元在保持较高热释电性能的同时具有尽量低的损 耗，这时电阻率当然越高越好。可见，热释电材料的电阻率在器件设计上也是一个重要的考鼙因素。 。_’海蕊鼻o， 卜[盖掌肄1一： 图l热释电探测器简明示意图 此外，从探测器的流程化、规模化生产方面考虑，其核心敏感材料还应具备制餐相对方便、成 本相对低廉、性能稳定、易于加工等特点，而这些特点综合起来正是陶瓷材料相较于其他材料，如 热释电单晶、高分子材料等的优胜之处，囚此目前热释电探测器的核心敏感元材料仍以陶瓷材料， 如Pb(Zr。Til．。)03(PZT)、PbTi03陶瓷等为主流。 三、PZT热释电陶瓷材料研究进展 工作在居里温度(Tc)以下，可以获得较高的热释电响应。通过进行合适的离子掺杂、引入适当的 三元系或多元系、改进制备工艺等手段。PZT铁电陶瓷的热释电性能能够得到极人提高，其他的电 学性能也可以得到调节。