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功率因数校正驱动保护控制
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白小青 石涛西安爱科电子有限公司
卢家林 苏彦民 西安交通大学电气学院(西安710049)
三菱的IGBT驱动电路M57962L和逆变电源中IGBT的过压、栅极过压、过流、过热保护措施。
叙词:IGBT驱动保护
1引言
在我们研制的30KVA逆变电源中,最容易损坏的部件是组图如图1所示,它有以下几个特点:
成逆变桥的IGI/I和其它电力电子器件相比,IGBT虽然具有通
流容量大、驱动功率小、开关频率高等优点.但要用好IC.IIT,使
其不受损坏并不容易。IGBT的驱动与保护同题是逆变电源能
否可靠工作的基础和关键。本文将比较系统地介绍30KVA逆
变电源装置中IGl/r的驱动与保护技术。
2 IGBT的驱动
2.1 IGBT对栅极驱动电路的要求
(1)栅极驱动电压
驱动电路提供的正偏压的+啾IGBT导通。增大正偏压 图1 M57962L的原理方框图
对斌小开通损耗和导通损耗有利,但也会使IGffr承受短路电流
的时间变短.续流=报管反向恢复过电压增大。因此正偏压要 (1)采用光耦实现电气隔离。光耦是快速型的.适合20KIh
左右的高频开关运行。光耦的原边已申联限流电阻(约1850),
适当.通常为+15V。为了保证IGBI在C—E闻出现/dJ噪
声时可靠关断,关断时必须在栅极施加负偏压,采用负偏压还可 可将5v的电压直接加到输人侧。
以减小关断损耗。负偏压取一9V左右为宜。 (2)采用双电源驱动技术,使输出负橱压比较高。电源电压
(2)措极串联电阻稚 的极限值为+18V/15V.一般取4-15V/一10V。
IGBT的开通和关断是通过栅极电路的充放电来实现的,因 (3)信号传输延迟时间短,低电平一高电平的传输延迟时间
此栅极电阻对IGBT的动态特性影响极大,减小如使开关时间 以及高电平—低电平的传输延迟时闻都在1.5岬以下。
和开关损耗减小,减小关断时出/舌噪声带来误导通的可能性,
提高IGBT的短路耐量,但会增加续流二极管反向恢复过电压,
关断,并输出过流故障信号。
使EMI也增大。对于1200V/400A的IGBr,Rg取2n比较合适。
(3)驱动电路的电源 m-/962L的典型应用实倒如图2所示。
驱动电路的电源应稳定,能提供足够高的正负栅压,电源应
有足够的功率,以满足栅极对驱动功率的要求。在大电流应用 3 IGBT的保护
场合.每个栅极驱动电路最好都采用独立的分离绝缘电源。驱
IGRF损坏的原因可以归结为以下三个方面:①过热损坏,
动电路的电源和控制电路的电源应独立,以减小相互闻的干扰,
它又分为由于集电极电流过大引起的瞬时过热损坏和其它原因
推荐使用带多路输出的开关电源作为驱动电路电源。
引起的持续过热损坏;@集电极发射极间过压掼坏;③柑极过压
2.2三菱驱动模块Mb7962L简介
损坏。因此IGBT的保护要从以下四个方面着手:①集电扳发射
在我们的逆变电源装置中.使用了日本三菱公司的驱动模
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