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微波／毫米波单片封装的热传导效应 程峰 杨铨让 (东南大学毫米波国家重点实验室，南京210096) 摘要；本文应用有限差分法求解时域热传导方程分析单片集成电路封装结构的热传 导效应，得到了封装结构内含有热源时其内部的温度变化、温度分布，以及封装管壳内部 可达到的极限温度。当封装管壳内部电路含有功率器件时，根据分析结果，可以确定器什 应该具有的功率极限，避免由于功率过大温度过高而损坏器件与电路。 关键词：封装管壳，热传导，温度分布，有限差分 一．引 言 随着微波，毫米波单片集成电路技术的不断发展．对集成电路封装的研究越来越受到 人们的重视。电路在进行封装后会引起各种寄生效应，如谐振现象，模式异化现象等，使 电路性能发生畸变，电路的可靠性降低。另。一方面，如果在封装管壳内部电路中含有，i功 率器件，那么器件产生热量，使管党内部的温度上丹。若管壳散热性能不好，经过一段时 阃后，温度超过允许的范围，电路性能逐渐F降，严重时电路器件因过热而烧毁。囚此． 髓好的散热对封装管壳来说是必不可少的，对管壳内部这种热效应进行研究也是十分必要 的。 封装管壳内部温度的变化遵循非稳态热传导方程(扩散方程)，本文应崩时域有限蒡 分法离散热传导方程，求解其三维蒡分格式，列管壳的边界面、边界上的凸角、凹角等边 界节点进行特殊处理，得到了封装管壳内部温度变化的规律，达到热平衡时的温度分布， 由此确定管壳内部器件可能达到的功率极限。 二．热传导方程的求解 直角坐标系中，非稳态热传导方程为 ∥，面OT吐f等十窘+窘j+尸 方程中各参数意义如F ● r一温度(℃) 一一媒质的导热系数(W／m℃) e一媒质的比热(J／kg。C) 3) p一媒质的密度(kg／m 3) 尸一热源单伊体积内的功率(W／m 国家自然科学基金瓷毗谋题 ～659～ 假设一单元如图1所示，节点(i，j，k)位于单元的中央，单)i的边长均为4血， 体积为矿=凸由3。当相邻的六个节点均为内部节点时，它们流向节点(i，J．k)的 热流分别为 留1．单丘及节点分布 (2) Q=t鲁旺一r(i，，，☆)】，=』，2，3，4．5，6 Ⅲl 式中各参量含义如下 0，一流向节点的热流(w) r，一节点的温度(℃) ^．一垂直于两节点热流方向的平均表面秘，对图I所示的单元，A=z5由2 节点(i，j，k)处的净热流，等于相邻节点流向它的热流，加上该节点处的热源产生 的热流，这样就得到该节点的能量平衡方程为 ∑Q+Py=Q (3) (4) Q=mcp百OT=pVCP百OT 式中m为单元的质量。 将(2)式．