微压传感器中的抗过载技术的研究.pdfVIP

微压传感器中的抗过载技术研究 沈绍群 杨恒 鲍敏杭 复旦大学电子工程系抟感器研究室 上海200433 孙立镌 哈尔滨理工大学计算机应用技术研究所哈尔滨150080 ● 摘要： 徽压传感器在实际使用过程中的抗过载强度是一个很重要的参数。本文对微压传感 器的过压失效进行分析和研究，提出硅膜应力匀散和双层背岛限位新结构，使0．5kpa量 程的微压传感器抗过赞强度提高到100倍满量程以上。 ● 一}|亩 随着硅微机械加工技术水平的提高，硅膜厚度已经可以控制到10微米以下，因此 可以制得尺寸小而灵敏度高的压力传感器。1993年我们率先采用微机械的梁膜结构制 得1kpa量程微压传感器．…对于微压传感器来讲，灵敏度除了与非线性相互牵制外，也 与过压强度相矛盾。如何提高徽压传感器的抗过载强度一直是研究的热点。 对徽压传感器的过压失效进行分析表明，硅膜的破裂往往发生在硅膜与边框或背岛 的交界处。众所周知，采用体微机械加工技术制成的压力传感器通常采用各向异性的湿 54．74 面组成的角区仍是一种没有曲率半经的锐角。由力学分析表明，在尖锐的角区存在应力 集中效应，应力的集中程度与角区的曲率半径有关．曲率半径的增大会使应力极值成倍 地下降．从而使器件的耐压强度迅速提高。 本文工作是在不损失器件灵敏度的前提下．考虑粱膜岛结构应力集中的同时，采用 掩膜—无掩膜的各向异性湿法腐蚀技术．在硅膜与边框或岛的交界处，形成具有一定曲率 半径的圆角区，以达到应力匀散，提高抗过载强度的目的．另外提出双层背岛新结构， 克服由于静电吸引力作用造成器件在静电键合过程中的失效现象。 二、抗过载技术 t 的提高。岛膜结构的岛除了起应力集中和力敏电阻非线性的内补偿效应以外，岛本身还 提供了器件的过载限位。用静电键合的方法将芯片键合在玻璃上，岛与玻璃之间留有一 定的间隙。当器件受压超过一定值时，岛的底部就会碰在玻璃上，阻止其进一步弯曲， 使结构不至于因挠度过大而损坏。传统的岛膜结构都是采用各向异性湿法腐蚀，从硅片 基 面。在硅膜与边框和背大岛侧面形成一个夹角为54．74的尖锐交角。根据力学原理．该 角区存在应力集中效应，在角区具有应力的极大值，因此虽然岛的底部己与玻璃相碰， 在压力进一步增大时，岛两边的硅膜仍有可能被损坏。尤其在微压传感器中，硅膜的厚 度已减小到10微米以下．硅膜在过载压力作用下，更容易产生破坏现象。因此在微压传 感器中，不能单靠背岛的过载限位结构．还需要在不影响微压传感器灵敏度的前提下， 使硅膜与边框或岛的交界处的应力极大值下降，即使应力“匀散”。以达到提高耐压的 目的． 19l 用ANSYS计算边框与膜交界处为台阶结构时，发现台阶数越多，膜边界处的应力 x2000pm．台阶宽度为101,Irn， 匀散效果越好．我们用ANSYS计算了大小为2000pm 硅膜厚度10Ilm．台阶厚度20pm。在1kpa的均匀压力下，对单台阶结构，膜边界处的应 力值为1．0672x10’NIm‘。