一种谐振式微加速度传感器的设计和制作.pdfVIP

趼℃’99 李军俊，刘理元杨景铭 饼蛑皱学徽电子学研究所，北京100084) 摘要本文报道了—种新型体硅结构谐振式徽加速度传感器的设计与制作。该器件采用 电阻热激振、压阻电桥同步检测的方法来获得信号输出，其敏感结构为高度对称的四角支撑 形式，并在屣昆块四边与支撵№擞间铷作了四根谐振粱用于信号捡到。谈0nj勉卧嘲鼹为 三层磋结构，制作全都采用硅微机械加工工艺，对制作出的芯片样品，进行了封装测试，并 给出了谐聚子的性能测试结果。 本文报道了一种新型的谐振式硅微加速度传感器‘“，其结构简单，通过工艺的设计使 传感器的关键部僻一谐振粱的质量得到保证，从而实现了传感器的高灵敏度。另外，采用电 热驱动、压阻检测均使得制作工艺与IC工艺兼各．为进—步的电路集硪粼E了很大的帮助。 一、结构设计 本文使用AL6嗽软件对谐振子进行了有限元法的使拟与分析。其目的在于对谐振梁的 应霉豫维胡刊莫态特性痛—个基本的{巴主基并由j境确定出㈣R,-J-． 因为在多梁结构包括三粱结构的固支端存在隔离结构，当粱谐振于反对韵赫(第三模 态)时，由多粱结构的各个分梁耦台到支撑结构的能量会因端部隔离结构丽相互转换抵消， 可以大大减少能量损耗口]。我们利用计算机对三粱结构进行了模态分析，并找出了固支梁端 部能量耦合区长度。的尺寸优值应约为硅粱总长度的5％。图l是三梁结构的俯视图。图2 则是三梁结构的振动模态及应力分析结果， 图l三粱结构俯视圈 ^ 、Nj心。。o 图2三粱谐振子模态及应力分析 图3是我们设计的谐振式加速度传感器的敏感结构图，从中可以看出谐振粱的位置及 ■———● 硅片厚度(约34叩m) ——●■一 支捧粱厚度(约201xm) ● 瞳■■■啊 谐振粱厚度(约10}lm) 图3谐振式撕枣度转感器敏感结构示意图 尺寸的基本设计思想。出于减小横向灵敏度的考虑，我们选择了四角支撑的高度对称的粱块 结}铲醐。虽然由于i赫缚陶的支撑梁是斜向45。方向的，黼其上方厦圭燃蚱压敏电阻， 但却可以用H皆摘劫口遗嘘传感器。因为它既提高了交擘梁的长度，又赶蝴架与质萝呋 之间留出了四边用于制作具有敏感检测作用的谐振粱。该种体硅结构的谐振粱制作与原有的 压阻式加速度传感器的工艺舷悻是完全兼容的。这样的设计既可以借用已有的成熟工艺，又 为进—步的传感器一检测电路系统集成提供了工艺兼容的便乖j条件。 谐振梁与支撑粱的尺寸设计应综合多方面的考虑。我们设计的支撑粱典型尺寸为 度则参考了硅粱应力模拟的结果，以保证有足够的均匀压阻敏感区(该区域的分布情况见图 X 2)。谐振梁的典型尺寸为1000¨mX300prolO啦n(通孔宽度为30pro)。其尺寸更多考虑了 有限元分析模拟的结果，以获得合适的本摄频率(100魁{z左右)。 13激振原理分析 硅梁谐振子的驱动；D-iG和敏感方式有很多种，对体硅传感器来说，利用电热驱动和压 阻检测非常实用㈦㈣㈣，周期性的外加热负载作为激励简单而有效，仅需在谐振子上制作一 个能耗加热电阻就可以了。 在电阻上加载交变的正弦电压Lo∞倒