用IAC技术制备DLC膜的性能的研究.pdfVIP

用IAC技术制备DLC膜的性能研究霉 朱启良林美娟过骐千王锦辉 1000I (北京机械工业自动化研究所 I) 周灵平李绍禄 (湖南大学材料测试研究中心410082) [摘要]本文简单介绍利用离子束辅助镀膜(IAC)设备沉积类金刚石碳(DLC)膜的工艺， 并对沉积的DLc膜的硬度、电阻率．结合力等进行测试分析研究，以便：为DLC膜的开发应 用提供工艺依据。 [关键词]离子柬镀膜 类金刚石碳膜 一、概述 离子柬辅助镀膜(IAC)又称离子柬辅助沉积(IBAD)是80年代中期发展起来的一种新型 的材料表面改性技术。 它把离子注入和常规的物理气相沉积技术结台起来，在依靠电子 束蒸发或离子束溅射沉积薄膜的同时，用几十eV到几十keV能量的离子束对其进行轰击， 利用沉积原子和轰击离子之间的～系列物理化学作用，在常温下合成各种优质薄膜。“’21 类金剐石碳(DLC膜具有硬度高、摩擦系数低，绝缘性好等许多优良性能，在工业上 有广阔的应用前景。 力学，物理性能是DLC膜结构品质的反映。正确评价DLC膜性能是使其得到广泛应用 的技术基础，因此，开展对DLC膜性能特别是硬度．电阻率，结合力等的研究对探索制备 优质的DLC膜制备工艺，推进其工业应用具有重要意义． 二、实验方法 本课题试样材料有单晶Si．40Ct，2Crl3．YG6硬质舍金等，其中钢样均经淬火、回 火处理，硬度达HRC 53—58。试样表面用金刚石微粉研磨，再经丙酮．稻精清洗，热风 吹干后，装到样品台上。 膜层制备工艺试验在自行研制的多功能离子束辅助沉积设备上进行。 在沉积DLC膜前，先用能量为IKeV柬流为30—60mA的离子柬对样品表面进行溅射清洗 10—20分钟。 ·机械工业技术发展基金资助项目 本文主要采用离子束直接沉积(IBD)方法制备DLc膜，沉积工艺参数见表l。在薄膜 制备过程中，根据具体实验要求，对表中的离子束轰击能量和束流进行不同的搭配．为 了提高膜一基结合强度，在沉积膜前用中能离子束对试样表面进行界面混合。 表l IBD沉积工艺参数 本底真空 轰击能量 工1：乍气压 沉积温度 (pa) (V) 轰毒寿流 (pa) (℃) 5×10— 200一1000IO～60 (3—8)×10—8 150 DLC膜的硬度在LEITzMINIL0^Dz型数显式显微硬度计上测量，测量载荷均为159，每 个试样测三点，取平均值，载荷保持时间为20秒，显微镜放大倍数为800倍。 电阻率在zc-36型lO”o超高电阻10—1tA微电流测试仪上进行测量，根据测量得到 的电阻值，由下式计算得出薄膜的电阻率。 薄膜电阻率p=R．s／t(O．cm) 其中R为薄膜电阻，s为测量电极与薄膜的接触面积，t为膜厚。 DLc膜的厚度是在CTG-IO型数字式复层测厚仪上测量的． 结合强度用WS--88型自动划痕试验机测量。 三、实验结果和讨论 1、离子束能量对DLc膜硬度和电阻率的影响 薄膜的显徽硬度．电阻率是两个易于测量而又能反映薄膜综合性能的重要指标．表2 表示轰击能量对si试样上DLC膜显微硬度和电阻率的影响。 表2轰击能量对DLC膜显徽硬度和电阻率的影响 柬流(∞^) 20 400 500 600 800 233l 2419 2700 2．33l 饕茬錾豫嘧 5．5×10’ 5．8×101。 3．6X10112．O×101。 DLC膜的硬度受制备工艺参数的彭响很大，表2的实验数据表明，