射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性.pdfVIP

第 26 卷 　第 2 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol. 26 　No. 2 2005 年 2 月 　　 CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 　　Feb. ,2005 射频磁控溅射制备 ZnO ∶Ga 透明导电膜及特性 1 1 1 1 2 1 余旭浒 　马 　瑾 　计 　峰 　王玉恒 　王翠英 　马洪磊 ( 1 山东大学物理与微电子学院, 济南　250100) (2 泰山医学院物理实验室 , 泰安　271000) ( ) 摘要 : 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌 ZnO ∶Ga 透明导电膜 ,并对薄膜的结构 和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究. 制备的 ZnO ∶Ga 是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜 ,最佳 ( ) - 4 Ω Ω 择优取向为 002 方向. 薄膜的最低电阻率达到了 39 ×10 ·cm ,方块电阻约为 4 6 / □,薄膜具有良好的附着 性 ,在可见光区的平均透过率达到 90 %以上. 关键词 : 磁控溅射 ; ZnO ∶Ga ; 光电特性 PACC : 6855 ; 8115C ; 7360 中图分类号: TN3042 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : (2005) 特性及制备参数对薄膜光电性质的影响进行了研 1 　引言 究. 掺锡氧化铟 ( ) ( ) ITO 、氧化锡 SnO2 和氧化锌 2 　实验 ( ZnO) 是重要的光电子信息材料 ,在液晶显示、太阳 能电池等光电子器件领域具有广泛的应用. 相对于 ZnO ∶Ga 薄膜样品是用 J PGF450 型射频磁控 ITO 和 SnO2 来说 ,ZnO 薄膜具有价格便宜、在氢气 溅射仪制备的 ,所用的溅射频率为 1356MHz. 系统 氛下稳定性高等优点[1 ,2 ] . 对不同方法制备的 的基础真空度为 8 ×10 - 4 Pa ,靶的直径为 8cm ,靶到 [3～5 ] ( ) ( ) ( ) 衬底的距离为 55cm. 陶瓷靶是由 ZnO ( 纯度 : ZnO 及掺硼 B 、铟 In 特别是铝 Al 的 ZnO [6～10 ] ) ( ) 薄膜已进行了比较多的研究 . 掺镓氧化锌 99 99 % 和 Ga O 纯度 :99999 % 粉末经 1200 ℃ 2 3 (ZnO ∶Ga) 薄膜已经用化学气相淀积[11 ] 、离子束辅 高温烧结而成 ,其中 Ga O 的重量比为 3 %. 溅射所