线性测量系统中光电探测电路的设计.pdfVIP

( ) 第 10 卷第 2 期 　　　　达县师范高等专科学校学报 自然科学版 2000 年 6 月 　 V o l. 10　N o. 2 Journa l of D ax ian Teachers College (Na tura l Sc ien ce Ed it ion) Jun. 2000 线性测量系统中光电探测电路的设计 何俄章 (南江县成人中专, 四川 南江县 635600) [ 中图分类号]O 46 1　　　 [文献标识码]C　　　[文章编号] 1008- 4886 (2000) 02- 0 109- 03 　　 在一些线性测量系统中一个重要的环节就是光 体 电阻所组成, 它的大小同管子的尺寸、所加偏压有 电转换, 光电转换由光电探测器来实现, 光电探测器 关; 偏压越高, 耗尽区越宽, 串联电阻越小 管子面 的好坏直接影响到最后的实验结果, 为了得到好的 积越大, R s 越小 对于大面积的硅光电二极管, R s 的 实验结果, 必须要求设计出响应快、灵敏度高、稳定 值一般在十欧姆至几十欧姆之间 C d 是硅光电二极 度好、测量线性好、信噪比高的光电探测电路 本文 管 的结电容, 它的大小同管子尺寸、结构和偏压有关 就实验系统中所涉及到的光电探测电路进行研究设 可由几个 P F 到几千 P F R d 是硅光电二极管的并 计, 采用硅光电二极管作为光电探测器 文中分析 联电阻, 它是由硅光电二极管耗尽区电阻和污染引 了硅光电二极管的基本结构、等效电路、噪声等情 起的漏电阻所构成, 它是随温度而变的并同管子的 况, 并给出了实用的光电探测电路 尺 寸有关: 管子面积小, 并联电阻大, 对不面管子R d 的数值变化范围很大, 可以从几十 K 到上百M 　　1　 硅光电二极管的基本特性 等效电路中的D 是PN 结等效二极管, R L 是负载电 阻, CL 是负载电容 　　11　 基本结构和等效电路 12　 响应的线性与并联、串联电阴之间的关系 硅光电二极管的等效电路如图1 所示, 图中is 是 在图 1 所示的硅光电二极管等效电路中通过等 电流电生器, 它是硅光电二极管接收光辐射后所产 效二极管的电流为: 生的光电流 i 和暗电流 i 以及噪声电流 i 之和 即 p d n eVD VD