带旁路二极管的太阳能组件遮挡特性研究.doc

带旁路二极管的太阳能组件遮挡特性研究 郭泽，徐林，彭小静，刘锋，杜丽芳 （上海交通大学物理系太阳能研究所,上海 200240） 摘要：本文建立了带旁路二极管保护的太阳能电池组件的数学模型，研究了有遮挡发生或者组件失配时模型中的各个参数对I-V曲线的影响，并结合实际分析了如何减小遮挡对带旁路二极管的组件的影响。 关键词：旁路二极管、太阳电池组件、遮挡特性。 0 引言 晶体硅太阳电池组件的表面阴影、焊接不良及单体电池功率不匹配等因素是导致输出功率降低的主要原因。在工业上，为了防止由以上原因造成的热斑效应和功率消耗，在组件制造时一般都会在每十几片串联的单片两端并上旁路二极管。这样做虽可减小组件的热斑效应，但同时也会使组件的整体性能出现畸变，最明显的就是体现在组件的IV特性曲线上。 因此，研究带旁路二极管的太阳电池组件遮挡时的输出特性就变得十分有现实意义，可以为工业生产和科学研究提供帮助。 1各种失配情况模型建立及结果分析 带旁路二极管保护的太阳电池组件当发生遮挡或其他事故时会出现失配，其I-V曲线会出现畸变，并会对最大功率造成影响。究竟是哪些原因影响着畸变的大小，怎样才能减小它对功率的影响呢？于是我们需要建立一个带旁路二极管保护的太阳电池组件的模型。而通过改变模型中一些参数的具体数值来分析这些参数对畸变的影响。由于各种组件和电池连接方式失配情况各有不同，所以需要分别建立不同的几个模型来进行考虑。 1、1 每片电池片都并联旁路二极管的情况 1、1、1 模型描述 一般的太阳能电池组件都是串联，因此，本文的模型采用11个太阳能电池单片串联的模型，其中，10个单片是正常的电池，而第11片电池则是模拟的受遮挡的电池，或者说是适配性不好的电池。而除了等效恒流源的电流之外这11个电池的其它参数是完全一样的，这是因为平时的组件各个单片经过分选都是基本相同的，而遮挡的情况只是影响到其等效的恒流源的大小。 具体到每个太阳电池单片的模型则是采用经典的也是用的最多的单指数模型。本来是每个单片都并联一个旁路二极管，但是考虑到只有遮挡的那个单片旁路二极管才有可能导通，所以其他10片单片的旁路二极管可以省略。于是得到如图一所示的模型图。 图一、 有一个单片遮挡的模型图 Fig.1 one cell mismatch 根据模型中各个元件的数学表达式和电路图，可以列出如下关系式。 使用MAPLE进行计算，使用以下参数作为计算： 3.32ohm 0.008ohm 2.4A 1A 4*A 29.4 每次改变其中一个参数的值，所得的结果进行作图比较，可以得出每种情况下的I-V曲线。 1、1、2数据分析 根据上面所建立的模型分几种情况改变不同的参数进行计算可以得到下面的结果。 1、1、2、1遮挡程度与电池I-V曲线的变化 图二、各种遮挡程度下的IV曲线 Fig.2 IV curve at different mismatch 参数是第11个也就是带旁路二极管保护的单片的等效恒流源的电流值。由于它和被遮挡程度是这个值的大小实际上就相当于太阳电池遮挡程度的大小，因此改变该参数就相当于改变遮挡程度。由图二可以看出，随着遮挡程度的增加，I-V曲线的畸变会越来越大，对太阳电池的影响显然也越来越大。其中当参数 等于2.4A时也就是完全没遮挡时，正是一条正常的I-V曲线。 该结果表明，即使安装了旁路二极管，仍然是单片遮挡范围越大对于整体组件的影响越大。这个结论很自然能想到的，因为旁路二极管并不能维持被遮挡电池的性能，它只是使电流从别处流走，使这片被遮挡的电池不再消耗其他电池产生的功率。 1、1、2、2 等效并联电阻与电池I-V曲线的变化 图三、各个等效并联电阻下的IV曲线 Fig.3 IV curve at different 参数是太阳电池单片的等效并联电阻。由图三可以看出，随着等效并联电阻的增大，整体I-V曲线会变得更好，同时畸变也会变得更小。 该结果表明，工艺上如果把太阳能电池的等效并联电阻做大的话不仅能提高无遮挡时太阳电池的整体性能，同时也会提高发生遮挡时的太阳电池性能。 1、1、2、3 等效串联电阻与电池I-V曲线的变化 图四、各个等效串联电阻下的IV曲线 Fig4 IV curve at different 参数是太阳电池单片的等效串联电阻。由图四可以看出，随着等效并联电阻的减小，整体I-V曲线会变得更好，同时畸变也会变得更小。 该结果表明，工艺上如果把太阳能电池的等效