氧化锌掺杂地研究进展_邓允棣.pdfVIP

科学与研究 氧化锌掺杂的研究进展 □ 邓允棣 (武汉理工大学理学院 湖北·武汉 ) 430070 摘 要 氧化锌是一种新型的、性质优良的半导体材料,在光、电、磁等方面都有着非常重要的作用,而对氧化 锌进行掺杂其他元素的研究越来越受人关注。本文对不同的掺杂物所进行的研究进展进行了阐述。 关键词 氧化锌 掺杂 光催化 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TU73 A 1007-3973200707-50-02 1引言 低阻抗的薄膜的报道就屡见不鲜了,据报道 W.Tang与 纳米氧化锌是一种具有特异性能,用途广泛的多功能超 在 年就得到了阻抗为 -4的氧化锌薄膜。 Cameron 1994 7×10 细材料,是世界各国投以巨资研究的新型材料,我国也把其 这是报道中得到阻抗最低的 掺杂氧化锌薄膜。 认 Al Ohyama 列入到 “ 计划”攻关的重大课题,而其掺杂后的性质又是 为只要有好的晶体取向,其阻抗就会降低,并且这是影响其 863 近年来研究的热点,发展这类新型纳米材料,可以应用到各 阻抗的关键因素。所以他在 至 年不断发表文章阐述自 96 98 个领域中去,比如压电传感器、气敏元件、光催化剂等等。 己的想法,并且得到了最佳阻抗为 -3 的 薄 6.5×10Ωcm AZO 在纯氧化锌研究了一段时间已经趋于成熟后,将其进行 膜。 掺杂成为现在研究氧化锌这个材料的新课题,也逐步成为了 另一种非常常见的方法是磁控溅射法。Szyszka利用磁 今后的趋势。现在对氧化锌掺杂后表现出的性质的机理还不 控溅射技术得到了电学性质很好的薄膜,他们用频率为40 是很清楚,但是人们提出了很多的解释,期待可以得到真正 的交流电在 质量浓度为 ,温度为 条件下得到 Al 1.2% 573K 的答案。本文将回顾一下纳米氧化锌对应不同的掺杂物所研 了最佳阻抗为 -4 的 薄膜。后来他又改进了工 4×10Ωcm AZO 究的现状,希望对以后的研究工作有所帮助。 艺,在 条件下,加快溅射速率至 ,加大了通入氧 473K 8.8nm/s 氧化锌 型掺杂 气的量至 ,结果得到了阻抗为 -4 的 2 n 163sccm 3×10Ωcm AZO 从电学上来讲,氧化锌制备过程中容易产生氧空位。如 薄膜。 果要使氧化锌的 型导电性更好的话,一般的掺杂物有 、