Si离子自注入硅晶体不同系列发光中心研究.pdfVIP

杨宇等：si离子自注入硅晶体不同系列发光中心的研究 Si离子自注入硅晶体不同系列发光中心的研究。 杨 茺1，熊 亮1，杨 BA02 宇1，王 飞1，李 杰1，韦 冬1，Jinming (1．云南大学光电信息材料研究所，云南昆明650091， TX 2．Houston大学电子与计算机工程系，Houston77204，美国) 摘 要： 报道了通过28Si+离子自注入技术，结合不 同温区退火，在Si晶体中引入一系列发光中心(W，R 技术很难兼容。特别是采用DSB技术获得的LED。由 和D。中心)研究。采用变温光致发光测量，分男q研究 于是通过在Si与SiOz分界面产生位错，而形成LED 了退火温度、注入剂量、测试温度以及腐蚀厚度对样品 的发光有源层[15。，使得在实际应用中有源层的厚度和 光学性质的影响。研究发现，w线的最佳退火温度大 位置很难控制，同时载流子必须克服氧化层的阻碍，大 约为300℃；R线发光强度最大时需要的注入剂量为大降低了器件的性能和量子效率。离子注入技术是制 10Hcm一，退火温度为700℃；D1线需要的最小剂量为作硅基发光器件的标准工艺。通过离子注入在硅中引 3×10“cm～，最小退火温度为800℃。通过对逐层剥入缺陷，可形成有效发光中心。最近，Bao等人[14]采用 离前后样品发光的对比，获得了各类发光中心的在Si 离子注入技术结合脉冲激光退火工艺和快速热退火工 中的深度分布。w中心深度处于平均有效投射直径 艺获得了W线LED。同时在自注入后的Si中还检测 Rp(R，≈400nm)的两倍，R中心主要分布在比R，浅的到R线和D，线。但他们并没有系统地研究产生各类 区域，而D。线缺陷主要集中在与R。同一深度位置。 发光中心的缺陷类型，以及发光与注入剂量、退火之间 研究结果为硅基红外光源探索奠定了基础。 的关系。通过改变离子注入剂量和退火温度，我们系 关键词：硅；光致发光；离子注入；退火 统地报道研究了自离子注入硅内所产生的发光中心， 中图分类号：0484 文献标识码：A 研究了注入剂量及退火温度导致的发光谱线极其相关 效应。进一步结合离子刻蚀的剥离技术和光致发光测 1 引 言 量表征技术，研究了产生不同谱线的缺陷中心及它们 硅基红外发光二极管(LED)和红外激光器是实现的空间分布。 全硅芯片光电子集成电路的主要器件。但Si是间接 2 实验方法 带隙半导体，其发光效率很低。一般不适合用来制造高 效发光器件。可喜的是，在硅亚带隙之间光学跃迁过 实验样品为取向(100)的P型双面抛光的Si单晶 程中具有低损耗的特性，这使得硅亚带隙在近红外波 X x 段高效发光成为可能。多年来，人们进行了很多改进 300keV，注入剂量分别为1×10¨，3101‘，11015和 硅发光效率方面的探索，包括注入稀土离子(如Er离 3×1015cm～。整个注入过程在真空和室温环境下进 子)[1。5。、引入杂质离子形成有效发光缺陷‘争10]、以及利行。注入过程中为了减小沟道效应的影响，注入离子 用硅晶体中固有缺陷发光[8“1。151等。固有缺陷、缺陷团束沿硅表面法线之间的夹角为7。。通过采用Monte 簇和扩展缺陷(如位错)可在硅中形成大量的红外发光 源[1“171。而D。和W线LED的成功研制。预示了利用 时，平均有效离子注入范围(R，)约为405nm。将注入 缺陷研制室温高效LED的巨大潜能[12’1“1。]。 后的硅片切割