氮掺杂Zn0中缺陷与光致发光研究.pdfVIP

第-f-五届全国化合物半导俸．散波鼻件和光电矗．件掌术嘈!议 广州’08 WED—ZnO-DOl 氮掺杂ZnO中的缺陷与光致发光研究(邀请报告) (南京大学物理系微结构国家重点实验室，南京210093) 摘要：本文采用金属有机物化学汽相沉淀法(MOCVD)在蓝宝石衬底(0002)上生长了高质量的ZnO掺氮薄膜，继后在氧气氛中 对薄膜进行1000*C快速热退火，荤点对退火后样品的发光特性进行变温光致发光谱的研究。低温下．在3．377eV、3．362eV和 温度升高，施主热解离，导致D0)(峰强F降，而FxA增强，同时DAP峰也向eAo峰转变；深能级可见光区青台阶状精细结构，被指 认为从浅施主及其激发态到锌空位的跃迁及其多级卢子峰，并月．观察到明硅的“负热淬灭”效应，讨论了其产生原因。 关键词：N掺杂ZnO，变温光致发光谱，激了，“负热淬灭”效应 中图分类号： 文献标识码； 文章编号： DefectsandPhot01uminescenceof ZnO SpectraNitrogen—doped Hui in Zhu． Gu，Shunmin Chen，Shul (National ofMicrostructuresand of 210093，China) Laboratory DepartmentPhysics，NanjingUniversity，Nanjing ZnOthinfilmsWgl-e on A1203substrates chemical Abstract：Highqualitynitrogen—doped grownc-plane bymetal-organicvapor ofthefilmwas afteritWasannealed deposition(MOCVD)．Thetemperature—dependentphotoluminescencespectra investigatedseriously inthe ambientat1000C．Theindicatesthattherearethreenearband at emittingpeaks oxygen spectra emittingⅢBE)ultraviolet are duetofreeexcitonics donorbound its 3．377eV，3．362eV，and3．332eV，which exciton(D(1)()and respectively emitting(FXA)，neural two．electron ofDoX of andtheDAP intensity FXAincreasing peak satellite(TES)．Withrisingtemperature，the decreasing，theintensity intoeAowhichallduetothe oftheDoX．The