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第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（晶体硅材料及电池）
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非晶硅/ 晶体硅异质结太阳电池钝化技术的初步研究
王菁，王菁，王烁王烁，，张晓丹张晓丹，，赵颖赵颖
王菁王菁，，王烁王烁，，张晓丹张晓丹，，赵颖赵颖
(南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，光电信息技术科学教育部重点实验室，
光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津 300071)
摘要：摘要：本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD ）技术制备本征非晶硅薄膜。
摘要摘要：：
研究了非晶硅/ 晶体硅异质结（HIT ）太阳电池中硅片表面钝化方法，分析了少数载流子寿命随本征
层氢稀释率、辉光功率、以及 H 等离子体处理时间的变化趋势，并从材料微结构的角度分析了钝
化材料如何影响钝化效果。太阳电池中本征非晶硅层应厚度适中，保证电池同时具有高开路电压和
填充因子。
关键词：关键词：非晶硅；异质结太阳电池；少子寿命；表面钝化
关键词关键词：：
1 基金项目:国家重点基础研究发展计划(Nos. 2011CBA00706, 2011CBA00707)、国家自然科学基金和教育
部新世纪人才项目(NCET-08-0295)资助的课题
† E-mail: xdzhang@nankai.edu.c
1 引言引言
引言引言
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非晶硅/ 晶体硅异质结太阳电池是在单晶硅、多
晶硅片衬底上沉积宽带隙的非晶硅作为窗口层或发 25
[1]
射极，形成电池 。其优点是：结构简单，能同时 )
s 20
µ
(
实现表面钝化及pn 结的形成；所有工艺均可在较低 τ
15
温度（200℃）下完成，降低能耗；并且，相对于传
统晶体硅电池，在高温下有较高的输出，具有实现 10
0 2 4 6 8 10
R(H /SiH )
高效低成本硅太阳电池的发展前景。Sanyo 的 HIT 2 4
（Heterojunction with Intrinsic Thin Layer ）电池转化 图 1 少子寿命随本征层氢稀释率变化曲线（所用硅片：p 型抛
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