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GaN基电子器件与可靠性研究进展
都跃
西安电子科技大学，竟禁带半导体材料和器件重点暑验室
第三代半导体材料即禁带宽度太于22eV的宽禁带半导体材料，以禁带宽度增大的顺序，主要包括SiC
(32ev)、ZnO(332eV)、caN(345eV)、盒刚石(545eV)、AIN(6
为成熟。这两种材料在高温、高翱大功率器件和短渡长光电子器件方面租有潜力．是目前半导体材料和器
件研究领域的热氧。
G“的电子器件主更是用于5波段以上微波功，卑放大器和高压功率开关。丰要器件类型是高电子迁移
强大的输出功率密度和输出功率得到了更加深，、研究和广泛戈注．报告主要论述GaN材料及其异质结在
生长方法、材料质量和电学特性等研究进展，尤其关注可靠性方面的主要问题。cd材料和结构多样化的
同时，caN基HEMT器件领域进展令人鼓舞。但是，目前仍然有不少问题亟待解决，同时，应该进一步关
究；(4)caN摹TH2的基础与器件研究。
个人简介
郝跃教授是两安电子科技』=学副牧长，教授和博士生导师。1982年、1985年和1990年丹刖于两安电
子科技大学半导体物理与器件和西安交通大学计算数学专业获得学士、硕上和博
十学位。国际1EEE学会高级会员．中国电子学会常务理事。长期从事微电子和圆
体电子学的科研和教学工作．主要开展宽禁带半导体材料与器件．深亚澈米煦超豫
亚微米集战电路设计和可靠性理论与方法研究。是国家重大基础研究(973)计划 囝
首席科学家二先后士持了多项国家科技攻关、863高科技项目、973计划项目、国家
自然科学基金重电等项目驳得了系统的创新成景。主持的科研项目分别获得国
家科技进步j、。等奖各一项，省部级科技进步一等奖j项，二等奖五项发表重
要期刊论文300余篇．专著3奉．获得授权中国发明专利25项
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