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记忆的形成与克隆
什么是记忆?记忆是对我们已获取信息的编码、巩固、保存和读
出的神经过程。我们把可以通过有意识的回忆获取得到,可以用语言
来描述的记忆称为陈述性记忆,相反的不用通过回忆我们就去操作已
学会的技巧的这种认知称为非陈述性记忆。比如你也许不能回忆起第
一次学习骑自行车的情景(陈述性记忆部分),但你却能骑起来 (非
陈述记忆部分)一样。我们通常所理解的记忆则指的是记忆中的可陈
述性记忆部分。
与陈述性记忆有关的脑系统包括内侧颞叶、间脑和前额叶皮层三
大部分。其中,包含于内侧颞叶的海马被作为记忆形成的“敏感”部位
而被广泛研究。那记忆到底是怎么形成的呢?现代科学认为,记忆是
神经突触修饰,突触蛋白上磷酸基团数目改变的结果。蛋白质的磷酸
化导致突触传递效能的改变,并形成记忆,这种记忆只能是短时程的
记忆,它只能保持几分钟至几小时,因为蛋白质的磷酸化不是永久的,
经过一定的时间蛋白质上的磷酸基团会被除去,并且蛋白质本身也并
非永久,脑中的大多数蛋白质寿命不到两个星期。那怎么才能将这种
短时记忆变成永久性记忆呢?从分子生物学方面去分析,短时程记忆
转化为长时程记忆经历了三大步骤:首先是神经元胞浆中蛋白激酶C
的持续活化。它导致了突触传递效率的提高。然后,在蛋白激酶C 的
持续活化的作用下使得 Ga2+在短时间内大量流入突触后神经元, Ga2+
和钙调素结合激活腺苷酸环化酶,从而产生大量的cAMP。cAMP 与蛋
白激酶 A 的调节亚基结合使蛋白激酶 A 的调节亚基结合,使蛋白激
酶 A 的调节亚基游离出来进入细胞核进入细胞核内的催化亚基使
cAMP 反应因子结合蛋白磷酸化,生成CREB-1。CREB-1 能与 DNA 分
子上的CRE 结合激活即刻反应基因 IEGs 从而启动新的突触蛋白等的
合成,使神经元原有突触有更多受体或离子通道,或使神经元装配新
的突触。CREB 可以说是短时记忆转化为长时记忆的 “开关”。最后,
在相应基因表达,新的蛋白质被合成的情况下,现有的突触连接被增
强,并构建全新的突触,以装配新的微神经回路,使突出传递的暂时
性变化转化为突触结构的持久性变化,形成长时程计划。研究表明,
长时记忆的形成伴随着兴奋性突触数目的大量增加,而遗忘与这些突
触的消失有关。
记忆到底能不能克隆是一个让人感兴趣的话题,那记忆到底能不
能被克隆呢?就记忆的形成,要人造出一段记忆就只能是通过某种生
物学方法去在特定的地点在分子层面去建立细胞与细胞或神经元与
神经元之间的特定连接。就目前的科技而言能不能达到这一步或距离
这一步到底有多远呢?众所周知,神经细胞是一种高度分化的细胞,
体内神经元受损几乎是不能恢复的。也就是说从细胞水平去再造或引
入神经元都目前无法解决的问题,距离从分子层面去改造神经元上的
特定结构有多远就可想而知了。
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