Si基低维量子结构的光电子特性的研究.pdfVIP

2012年第十六届华东六省一市物理学会联合年会论文集 Si基低维量子结构的光电子特性研究 方忠慧江小帆黄信凡 (南京大学物理系固体微结构国家实验室，江苏南京 210093) 摘要利用绝缘层上的硅(SOI)材料，分别制备出一维限制的单晶Si量子阱结构和 二维限制的si纳米线结构．在室温下研究了单晶Si量子阱的光致发光(PL) 特性，观测到量子限制效应引起的发光峰位随阱层厚度变小的蓝移现象．对si 纳米线进行的电学特性研究中，在低温下发现由量子点导致的库伦阻塞效应和 背电极调制的库伦振荡现象． 关键词量子限制；库伦阻塞；库伦振荡 1 引言 随着微加工工艺进入纳米尺度，Si基低维量子结构在光电子学和纳米电子学领域引起人们越 来越多的研究和应用．当低维结构某个维度上的尺寸小于电子的德布洛意波长时，必须考虑量子 限制效应对整个低维系统的光电特性的影响【lq】．另一方面，在纳米点结构中，由于系统的电容C 很小，电子隧穿进入纳米点必须克服一个库伦充电能毋=P2／2C，称为库伦阻塞效应14，习． 本文第一部分研究一维限制的单晶Si量子阱结构的室温光致发光(PL)特性，其中阱层是厚 nrn时，观测到明显的可 度为纳米尺寸的、限制在宽带隙Si02中的单晶Si层．当阱层厚度小于3 见发光以及量子限制效应引起的发光峰位随阱层厚度变小而蓝移的现象．第二部分研究了重掺杂 Si纳米线中由量子点导致的库伦阻塞效应，并利用栅极调制了量子点的特性，在低温下观测到库 伦振荡现象．上述两方面的研究工作，从实验上证实了低维纳米结构中的量子光电子特性，是研 究纳米光电子器件的基础． 2一维限制的单晶Si量子阱结构中的光致发光特性 1)Si量子阱制备和结构表征 on 实验中使用的原始材料为键合型绝缘层上的Si(Silicon sln，埋层Si02(BOX)的厚度为200nnl．采用高温氧化和湿法腐蚀的减薄 单晶Si层厚度为100 技术把Si层的厚度减薄到纳米尺度．经过多次氧化腐蚀的步骤后，单晶Si层的厚度不断被减薄， 在最后一步，保留顶部的Si02，形成阱层厚度为数纳米的量子阱结构，见图1(a)中的左上示意 图．改变最后一步氧化的时间(分别为48、49、50、52min)，我们得到四种不同阱层厚度的单晶 Si量子阱样品． min 我们使用椭偏光谱仪检测了样品的单晶Si量子阱层厚度．椭偏测得氧化减薄时间为48 nnl、49 nrn、50 nm、52rain样品为1．0nnl．为 样品的阱层厚度是2．5 rain样品为2．0 rnin样品为1．5 给出氧化时间为49 2012年第十六届华东六省一市物理学会联合年会论文集 0+0 层图1(b)为该样品的剖面高分辨TEM照片，sl层的厚度为(22)nm，与椭偏测量的 厚度相吻合．井明显观察到该层的晶格相．表明我们成功制备出单晶si量子阱结构 图l氧化时间49 rain的量子阱样品的(a)剖面TEM照片i(b)高分辨TEM照片 2)Si量子阱光致发光特性 nm 激发光源为波长325He-Cd辙光器 至708nm样品b，c，d的发光均可用肉眼观察到，图2右上插图是样品c在室温下的光致发光 照片． ^i3)血1w§S 图2不同阱层厚度的硅量子阱样品室温下的PL谱(右上插图为样品c在室温下的发光照片 12 众所周知，体材料Si的带隙为1eV．如果能发光是在近红外波段但在以上的实验中． 当si阱