MOCVD在ZnO材料生长方面的应用及最新的研究进展.pdfVIP

第十—届全国MOcVD学术会议 ThellthNationafMOCVDConfereRceofChina MOCVD在ZnO材料生长方面的应用及最新研究进展 张运毙范广涵 华南师范太学光电r村科与技术研究所．J‘州510631 摘要： ZnO由】‘具有良好的光学、电学和住电性能．在光电子器件方面其宵潜在的廊刷价值，已受到广泛的 关注和重视。奉文介绍了ZnO纤锌矿的晶体结构及性质．阐述rZnO村料的制备技术及展新研究进展。 爿谜步探讨r日前存在的问增及其令后的研究发展方向。 关键词：氧化锌：MOCVD；生长 引言 良材料．极其开艇和麻川价值。H前生长ZnO材 ZnO的稳定结构是六角的纤锌∥结构 料的方法有多种_疗法，但材科的H寸和质最都冉 (a=O 5661 待提高，ZnO品体是致熔融化合物，“熔点 324982nm，c=0rim)f如图1)．在纤 锌矿结构中．O原r为密排A方结构．原子层排 为1975。C。ZnO不仪j￡有强烈的极性析晶特 列为ABAB。Zn原了位于O原f的四面体问性，而且在高温下门3000C咀上l会发生严重的 隙中。在个一镐胞中有12个四面体同隙．这12 升华现象，因此诚晶体生长极为困难。 个四面体问隙位置分别位于1／8c、318c、5／8c和大鼙的物理或化学斤法被用于生KZnO 7／8c处。在1／8(：和7／8c处．州面体问隙位十品 材料．例如分子束外延(MBE)打法、射频磁控溅 胞内部．而在3／8c和5／8c址．叫面体问隙位置在射(RF)打法．脉冲激光沉积(PLD)方法。金属有 ^条棱上。由于原千比为1：1．Zn原于必须占据机物化学气相沉积(MOCVD方法)等这些方法 ¨面体问隙的 t，即位于1／8c处和78c处或 再有特点．其中MOCV方法由r设备成本适中． 引8c处和副8c处。氧化锌(znO)为直接带隙半导 生长材料质量高。适合r大Im粤I生长吐操作简 体材料．禁带宽度为34ev,室温下在紫外区有强激 单。此外，由于ZnO与GaN的晶格失配度较小． 子发射，激子束缚能高达60meV．适合制作高效率而且相对容易生K体单品。肯希望成为生长高质 蓝色、紫外垃光管和探测器等光电子器什。ZnO 量GaN外延村料的理想衬底。使ZnO单品及 是种且f『发光、压电、电光、刚烁等性能，被 外延材料生长成为当前r泛研究的一太热点． 广泛运削于且i电传感转换器、气域传缚器、光波 倍受人们关注。 导、透明电极、变阻器、表面声波过滤器、选嘲 大功率电子器件、发光显示和太刚能lU池的窗口 材料等多方向。特别是znO的带边发射在紫外区 1E常适宜作为自光LED的激发光源村料。j￡性能 优片，有掣成为F代光电子材料，因此，对ZnO 的研究具有重要的理论意义和应用价位。JF且与 SiC、GaN等兑它的宽带脓材料相比，ZnO具仃资 源丰市、价格低廉，高的化学和热稳定性遥台做 K寿命器件等多方面的优势，史好的机辐j!|{损伤能 力使其在空间运刚方血有较强的竞争力。ZnO来 游丰寓．价格低廉．毒性小叉具有根岛的热稳定性 和化学稳定性，掺八等电子磁性杂质(Mn、V、 Co)有可能制造m在窀温FH柯磁性的半碰半导 体。这些优点使它可能成为制蔷光电千器件的优 目1ZnO的^角的纤锌r镕构 china—lednet 120h#p：Hmocvd II—VI族化合物材料生长和制备 and of GrowthFabrication rl-ⅥCompound MOVCD在ZnO材料生长方面的运用和相s．H．Joollg等人利用等离子体辅助金属有