光照条件下多晶硅晶界复合理论的研究.pdfVIP

光照条件下多晶硅晶界复合理论研究 孟凡英周之斌孙铁囤崔客强 (上海交通大学应用物理系太阳能研究所上海200240) 文摘：假设晶界界面态呈高斯分布，理论上研究了光照条件F多晶硅晶界的复台特性。我计]认为 晶界材料是非品的-研究了光照和掺杂浓度(N。1)对品界势叠高度(v．．)、空间电荷边缘少于的界面复合 速应S(0)和有效复合速度s(w)，界面复合电流密度J。(0)的影响。结果表明在相同的光照条件△E， F，S(0)．S(w)，J。(o)随N．的增加而增加。 关键词：晶界；高斯分布，势垒高度，复舍特性，多晶硅 撅) ．…1． 、／ l引雷 多晶硅材料在MOS集成电路、VLSI双极器件和太阳电池中有重要的应用…，所以光照条件下品 界及其附近载流子的传输和复台越来越受到重视，然而，多晶硅内的杂质，位错，晶界和品粒内缺陷 等影响电池的效率。理论研究表明㈦界面态充当光生载流子的俘获和复合中心，决定着多晶硅的屯学 性质。关于界面态能量分布模型有均匀分布．指数分布，5一函数分布和高斯分布【=I]，每个模型都局 限在特定的实验条件n本文建立了新的晶界复台理论模型，描述了晶界载流子传输和复台过程。 2理论 2．1高斯能量分布 品界界面态分为“类施主”界面态利“类受主”界面态，“类施主”态htD(E)和“类受主”态htA (E)的能量分布表达式为[4]： 、 衅志ex《一掣] 删=忐ex《一警] HtA和}It0是单位面积局域态总数，S．和S。是分布参数．E．．和E，。是“类受主”和“类施主” 分布的平均值。这些参数依赖_丁样品的制备条fl·，钝化和退火过程等。 2．2晶界的占据函数 例l(b)是无光条什下多晶硅晶界能带图。蚓1c)是光照条件下n型多晶硅的能带图。当多晶 硅受到光照时，光生少子被吸引到晶界，井与被俘获的多子复合，通过SPJ{理论f∞和发射过程㈨建立 了新的界面电荷，结果晶界势垒高度“．，)小于赔条件。F的势垒(v。)。费米能级分为电子和空穴的准费 米能级E。，E。。在E，。(0)和E。(0)之间的界面态是复合中心。复合中心的占据函数主要由下列因素 决定：电子乖¨空穴的相对浓度，俘获横截面的相对人小，本征载流子的浓度。假设复合中心的俘获横 截面不相等，即电子的俘获横截面o。，空穴的俘获横截面0【。我们得到“类受主”和“类施主”复 合中心的占据函数分别为： 。。 r．：………一!j㈣．上g；堕乒j。……——一 仃Ⅳ一o)+霜★一，芦+盯。p(0)+oIq户一1’ ：——!巡≯皇!k堡壁：! (4) 盯c一(o)+al一．∥+仃Ⅳ“O)+盯Ⅳ／2J∥+1 (I) (” 雯 ￡r‰．‰ ∞ Fig．1．多晶硅晶界附近能带图。(a)一维品界结构⑩暗条件下(c)光照条件下 (d)光照下品界界面态分布 1．OE+1l 一1．OE+09 l 量1．OE+07 ； 曼1．o啪5 鼍¨ 言1．OE+03 ；| 苗1．OE+01 1．惦_01 0．0I I．OB—03