低维量子阱红外探测器发展.pdfVIP

低维量子阱红外探测器的发展 史衍丽 昆明物理研究所基础研究室，650023) 擅耍：红外技术对高性能、低成本红外探测器的应用需求，决定了对高品质的红外探测材 料及其器件不断的追求、探索与发展。量子阱低维红外探测器其材料生长技术成熟．器件性 能优越．产业化优势明显，已经作为第三代红外探测器在国际上获得重要的发展。本文介绍 了相关发展情况咀及应用情况，提出了在我国迅速发展量子阱红外探测器的需求。 美t诃：量子阱低维红外探测器 引言 红外探溯器经历了扫描型的第一代红外探测器、小规模凝视阵列的一代红外探测器的发 展，在20世纪90年代提出了对第三代红外探测器的发展需求，关于第三代红外探测器至今 世界上还没有明确的定义，但主要的内容包含三方面： ■ 高性能、高分辨力具有多波段探测的制冷焦平面 ■ 中等性能或高性能的非制冷龠平面 _ 成本非常低的非制冷焦平面 第三代红外探测器与第二代红外探测器相比．更加强调多色探测．吼及高性能、低成 本。目前二代红外探测器在仁2的条件下，噪声等教温差(NETD)大约是20．30mK，第三 代红外操测器的发展目标是提高NETD到link。这对应着在材料体系选择、器件结构设计、 读出电路设计、器件工艺技术等方面需要进一步地改进和提高。 掣 ㈣ ，，1I 一一 。—。—苛：基：=—。… 图1红外探月《器的发展历程 量子阱低维红外探测器其材料生长技术成熟，可获得太面积均匀的材料，易于制备多色 器件．器件工艺成熟稳定、产业化优势明显，符合第三代红外探测器的发展需求，成为国际 公认的新一代红外优质材料。图l给出了红外探测器的发展历程，职色量子阱以及大面阵量 子阱红外探女幡是第三代红外探测器的优选。 2、量子阱低维红外成像探测技术进展 21量子肼红外探测器咀及器件优势 目前国际上发展成熟的量子阱红外探测器主要是GaAs／AIGaAs量子阱红外焦平面探测 F队1是80年代先进的薄膜生长技术和微电 器。量子阱红外焦平面探测器(英文缩写QWlPs 子学相结合的产物，利用薄膜生长技术MBE、MOCVD交替生长作为势阱层的GaAs材料 和作为势皇层的AIGaAs材料，由rGaAs材料和AlOaAs材料禁带宽度差在导带底和价带 顶的分配．构成了电子势阱或空穴势阱，通过掺杂提供阱内的电子或空穴，量子阱内基态电 子或空穴在红外辐射的作用F，向高能级跃迁，在外电场作用r作定向运动，形成与^射光 强成正比的光电流，完成红外辐射探测。其能带示意例如嘲2所示，罔中插图给出了量子阱 材料的透射电镜分析结果。 图2量子阱红外探测器能带示意图及材料结构截面图 与传统的HgcdTe红外焦甲面探测器相比．量子阱焦平面探测器具有以下优越性： (1)响应波长连续可调，通过调解量了阱宽度和势垒高度原则上可方便地获得可获得3到 20Jnn的响应，如图3a所示；尤其在大于14岬的长波、超长波领域，器件具有较好的性能。 而在大干14岫的长波、超长波领域，HgCdTe红外探测器漏电大．器件性能很差。 (2)器件均匀性好、产量高、成本低。基于成熟的III—v材料生长和器件制备技术，可获 得大面积、均匀性好的材料，器件均匀性好．可操作像元高，如图3b所示。器件产量高、 成奉低， ●■S}￡i—iEoz 图3量子阱红外探测器连续可调的响应波＆以及良好的器件均匀性 (3)双色或多色探测。量了阱探测器光谱响应带宽窄，町控制h2肚10％(约～l哪)，不同 渡段之间的光学串音小，因此特别适宜制备双色、多色焦平面探测器。对应的材料生长也不 成问避，多数情况下应用MBE生产设簪．通过调罄量子阱层厚度非常容易获得不同响应波 段的材料。 (4)抗辐射，特别适于天基红外探测及应用。 1