热激电流谱确定CZT%3aIn中陷阱能级.pdfVIP

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2015-07-27 发布于安徽
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DeterminationoftraplevelsinCZT:Inby thermallystimulatedcurrentspectroscopy NANRui-hua1JIEWan-qi1ZHAGang-qiang1BAIXu-xu2WANGBei3YUHui1 1.StateKeyLaboratoryofSolidificationProcessing,SchoolofMaterialsScienceandEngineering, NorthwesternPolytechnicalUniversity,Xian710072,China; 2.KeyLaboratoryofArtificialStructuresandQuantumControl,MinistryofEducation, DepartmentofPhysics,ShanghaiJiaoTongUniversity,Shanghai200240,China; 3.ScienceInstitute,AirForceEngineeringUniversity,Xian710051,China Manydefectsinsemi-insulating(SI)cadmiumzinctelluride(Cd1-xZnxTeorCZT)ingotsgrownbythemeltmethodsactas trappingcenterstointroducedeeplevelsinthebandgap,whichhasstrongeffectsonCZTdetectionproperties.Thethermally stimulatedcurrent(TSC)spectroscopywasusedtomeasurethesetraps,andtheinitialrisemethodandthesimultaneousmultiple peaksanalysis(SIMPA)methodwereintroducedtocharacterizetraplevelsinSI-CZT:In.Theresultsshowthatthereisalargererror inthedeterminationforthetrappeakswiththeinitialrisemethodduetotheinterferenceofoverlappingpeaks,whiletheSIMPA methoddemonstratesabetterperformanceinresolvingtheseoverlappingpeakssimultaneouslyforafullcharacterizationoftrap levels.Onthisbasis,atheoreticalSIMPAfitting,whichiscomposedoftentraplevelsandadeepdonorlevelEDDdominatingthe darkcurrentinSI-CZT:In,isachieved.Furthermore,thereasonofhighresistivityinCZT:Inwasexplainedbytherelationship betweenEDDlevelandFermilevel. Cd1-xZnxTe;trapping;deeplevels;thermallystimulatedcurrentspectroscopy NAN al／Trans．NonferrousMet．Soc．China s149 Rui-hua，et 22(2012)s148一s152 behaviorsof was wasre—cooledand transport Cdl．Zn』Te(](=0．1)obtained．Then，the indium—doped