基于低温共烧陶瓷技术的SIP工艺的研究.pdfVIP

第42卷 增刊1 稀有金属材料与工程 V01．42，Suppl．1 2013年 6月 RAREMETALMATERIALSANDENGINEERING June2013 基于低温共烧陶瓷技术的SIP工艺研究 徐自强，张宝，徐美娟，廖家轩 (电子科技大学，四川成都611731) 摘要：系统集成封装技术(SIP)是将一个电子系统进行集成封装，而基于低温共烧陶瓷工艺(LTCC)的高密度基板 技术是其中的关键。本文研究了收发(T／R)组件微波多层互连基板的制作工艺及其优化，基于LTCC工艺，制备出一 种应用于x波段T／R组件的SIP基板，并着重对影响基板特性的信号孔和散热孔填充、通孔金属化、异质材料匹配工 烧、内埋腔体技术和组装等关键技术进行了研究。获得了一套内埋置腔体LTCC多层互连基板的工艺参数，并已成功 研制出满足T／R组件微波电路性能要求的LTCC多层互连基板。 关键词：低温共烧陶瓷：多层；匹配共烧；微波互连；系统集成封装 中图法分类号：TQl74 文献标识码：A 文章编号：1002．185X(2013)S1-068．04 随着无线通信、汽车电子及各种消费电子产品的 内埋腔体技术和组装等关键工艺技术进行了研究。 高速发展，对产品的体积、性能、功耗、可靠性和功 1 工艺流程 能提出了更高的要求【l‘3】。系统集成封装技术(system inpackage，SIP)是近几年来为适应模块化开发系统SIP基板电路包括射频电路和低频电路。射频电 硬件的需求而出现的封装技术，其利用已有的电子封 路是组件内部各微波器件间信号连接的纽带，进行电 装和组装工艺，组合多种集成电路芯片与无源器件， 路布局时应根据各模块的大小、电特性以及受控情况， 封闭模块内部细节，降低系统开发难度，具有成本低、 确定其在基板上的合理位置【7】。本实验在进行多层基 开发周期短、系统性能优良等特点，目前已经在通信 板布局中重点考虑以下几点：(1)应同时兼顾电源和 系统的物理层硬件中得到广泛应用[4-6]。 控制电路的布局，设计合适的压接焊盘位置，不要离 高密度多层互连基板的制造技术是SIP技术中的 芯片太远。功放电源的焊盘不要太大，以免引入大的 关键技术，影响着SIP系统的体积、重量、性能和可 寄生电抗；(2)应保证大面积微波接地，接地效果与 靠性。低温共烧陶瓷(LTCC)技术由于具有优异的电大地的等效性要好，采用网状地降低电极面积；(3) 学、机械、热学及工艺特性，是实现系统级封装的重 在走线中应尽量减少微波传输线的不连续性，线宽不 要途径[7-101。基于LTCC工艺的SIP相比传统的SIP要突变，导线不要突然拐弯。(4)低频电路的电磁兼 具有显著的优势，近年来，日、美等国在这一领域做 容。图1为本设计SIP多层互连基板结构示意图。 了大量工作，已开发出适用于VLSI、ULSI芯片组装 要求的LTCC．SIP基板，并在航空航天、通讯、计算 机和军事等领域得到了广泛应用111-14]。 目前国内关于SIP产品的研制尚处于起步阶段，相 关设计和工艺技术都不成熟。同时，由于LTCC的开发 与生产，必须依靠相关材料、设计、设备等方面的支持， LTCC产品的一致性和精度主要依赖于所用材料的稳定 性和工艺，故工艺技术及优化尤为关键。为此，本实验 基于LTCC工艺技术，研究了收发(T瓜)组件微波多 层互连基板的制作工艺及其优化。制备出一种应用于x 波段T／R组件的SIP基板，并着重对影响基板特性的信 图1多层SIP集成基板示意图 ofSIPsubstrate 号孔和散热孔填孔、通孔金属化、异质材料匹配工烧、 Fig．1Multilayerdesign 收稿13期：2