【论文】集成电路制作技术的发展和超净高纯试剂的应用.pdfVIP

集成 电路制作技术的发展 与超净高纯试剂的应用 穆启道 (北京化学试剂研究所 i00022) 摘 要：本文根据集成电路制作技术的不同发展阶段对超净高纯试剂的不同要求，阐述了超净高纯试剂的应用、 需求及发展状况 。 关键词：集成电路 制作技术 超净高纯试剂 应用 1概述 应用紧密地结合才具有现实意义。 集成电路 (Ic)制作技术作为微电子技术的核心， 2 国内外微电子技术的现状及发展 是电子工业最重要的基础，其发展之快，更新之速， 2．1 国外微 电子技术的现状及发展 是其它任何产业都无可比拟的。它分为前工序和后工 自1958年美国首先研制成功集成电路起，从 1970 序，前工序是指芯片的微细加工制作过程，主要包括 年以来相继推出了4K、16K、256K、1M、4M、16M、64M、 薄膜生长、图形转移、掺杂和温度处理等四项基本操 256M 、IG、2G等的DRAM(动态存贮器)，并形成规模 作；后工序主要是指芯片的封装处理过程。 生产。从集成电路制作技术的发展历史可以看出，到 目 集成电路制作技术所需的关键性化工材料主要包 前为止，国际上集成电路芯片的发展基本上还是遵循 括半导体材料、超净高纯试剂、光刻胶、特种电子气体、 GordonE．Moore预言的摩尔定律，即每隔3年集成 环氧塑封料和硅片抛光材料等，其中超净高纯试剂、光 度增JJH4倍，其特征尺寸则相应缩小30％(具体见表1)。 刻胶、特种电子气体主要用于前工序，环氧塑封料用于 特别是九十年代末以来，集成电路制作技术的发展速度 后工序 ，硅片抛光材料用于单晶硅厂硅片的后处理。超 更快，竞争更为激烈，尤以美国和 日本更为突出。如美 净高纯试剂 (Ultra—clean and High～puritY 国的Intel公司 1999年推出的PentiumIIKatmai芯 ReagentS)在国际上称为工艺化学品 (Process 片、PentiumIIICPU芯片及超微公司推出的AMDK6— ChemiCals)，我国的台湾地区又称湿化学品(Wet 3芯片、AMDK7芯片采用的均是0．25izm技术，而Intel Chemicals)，是超大规模集成电路制作过程中的关键性 公 基础化工材料之一，主要用于芯片的清洗和腐蚀，另外 CP 还用于硅圆片表面的清洗。超净高纯试剂的纯度和洁净 焦 度对集成电路的成品率、电性能及可靠性均有十分重要 也 的影响。超净高纯试剂具有品种多、用量大、技术要求 年成功研发出0．095IJ．m的半导体工艺技术，而东芝与 高、贮存有效期短和强腐蚀性等特点，它基于微电子技 索尼两个公司 自2001年5月份开始合作并于9月份研 术的发展而产生，随着微电子技术的发展而同步或超前 制成功世界领先的0．09um芯片处理技术，与2002年 囊 ； 发展，同时它又制约着微电子技术的发展。因此，超净 4月合作研制出0．065IXm芯片处理技术。而据最新报 高纯试剂的研究开发及应用必须与微电子技术的发展及 道韩国已经突破了0．O1IXm芯片制作技术的难关。 欢迎投稿 E-maiI：aSianinfo@onIjne．sh．cn 表 1 Ic规模及与超净高纯试剂发展的关系 Ic产率下降达50％左右。为了获得高质量、高产率 年代 86年I89年 92年l95年I98年 2001~-l2004~l2OO7#2010益