SBT铁电薄膜及其ZrO-%2c2-介质薄膜的刻蚀技术研究.pdfVIP

SBT铁电薄膜及ZrO：介质薄膜的刻蚀技术研究 SBT铁电薄膜及ZrO，介质薄膜的 刻蚀技术研究 颜雷黄维宁姜围宝汤庭鳌程旭钟琪姚海平 复旦大学电子T程系微电子学研究所 上海市邯郸路220号 邮政编码：200433 摘要：随着微电子技术的发展，尤其是铁电薄膜制备技术的发展，新型不挥发“1F破 坏性读出存储器MFIS研究近年来受到人们的普遍关注。制备MFIS存储器的铁电薄膜一 般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜，介质层一般选)lJZrO，作为阻挡层，以克服电荷注 入效应，改进器件的性能。在MFIS的研制中，对SBT薄膜和ZrO，薄膜的刻蚀是关健T 艺之一。本文研究了用反应离子刻蚀办法，阻sF^和Ar作为反应气体刺蚀SBT及ZrO，的 技术，对不同条件1-SBT和ZrO，的刻蚀速率进行了实验研究和讨论、分析。得到了形成 SBT及z哟，的优化『_[艺条件。 1．引言 礤的半导体存储器的制备工艺已趋于成熟，并且在各个领域得到广泛应用。伴随着微电子 制造工艺的进步，人们开始运用新技术研究新型存储器件，以克服目前已有存储器的某些 不足并提高其性能。其中利遥嗣铁电薄膜制器的不挥发铣屯存储器FeRAM，不挥发水破 坏性读出金属／铁电，半导体场效应器件及萁改进结构金属，铁电／介质层，半导体MFIS器件 尤其受到人们的广泛重视。 由于该器件的物理机弹尚未全部搞清以及技术雄度还没商完垒克服，MFIS金属／铁电 ／介质／半导体存储器目前仍处在实验窜研究阶段。但是它n有其它存档器无法替代的优点， 如可以利用“一个器件实啦二进制信息的存储：其存储信息托掉电情况H一，以长期保存；凄 写速度怏：工作电压低；读写次数多等。目前，周内外研究人员止在进钔：辩技攻关，争取 早日将这～新型存储器实用化。MFlS铁电存储器中铁电薄膜通常采用新型铁电材料SBT (锶铋钽)，介质村料一般采用ZrO：、YO。、Ce02等。 通常铁电薄膜例如PZT薄膜可以用HF缓冲液避{?腐蚀，并且能够得到赵好图形。但 是，SBT薄膜耐腐蚀能力特别高，不能用湿法进行幅蚀。必须用反虑离f刻蚀方法进行刻 蚀。ZrO，薄膜质地致密，虽然可以运用浓度较高的HF酸腐蚀，但是腐蚀厉图形边缘粗糙， 保形度不好．为了得到好的图形也必须采_}}j反应离子刻蚀的方法进行刻蚀。 等气体进行刻蚀。在本项刻蚀研究中，我靠J采用SF。+Ar作为对用SOL--GEL方法制备 的SBT和ZrO：薄膜进行反应离子刻蚀的气体．等离子气体SF6用于与SBT进行反应，Ar 同时进行离子轰击。我们研究了不同R1E功率、不同sF—Ar流量比、不同气压条件下对 259 SB 11铁电薄膜及ZrO：介质薄膜的刻蚀技术研究 SBT刻蚀速率的影响，从而为找到反应离予刻蚀SBT的最佳L．艺条件。同时。我们还得 到了在ai同功率、气压一F硐SF。+Ar反应离f剿蚀Zr02薄膜的速率。 2．SBT和ZrO，制备 SBT和ZrO，都选片』P,JTi／SiO，／Si 为衬底材料。选用li导体sj片的电阻 率为8--13Q·cm，(100)品向。茸先 在Si片上生欧一层200nm厚的siO， 层，再在}面用离子束溅射法淀积一 层20nm的Tj和120nm厚的Pt，其中 Ti作为缓冲层，Pt为底}b极。 2．1 SBT铁电薄膜制备 用soL—GEL方法制备SBT薄 膜J二艺流程为：将SBT溶胶Yl溶液 旋涂于Pt衬底上，经旋转厉，在快速 邂火炉中250℃烘干10分钟，500℃ 烧结5分钟，重复上述步骤，汽到SBT 厚度达到所需的厚度为止，而后在扩 散炉中氧气气氛下800℃遐火60分 图1SBT电滞回线图 钟。即可得到钙钛矿结构。其电滞同 线如图1所示。 2．2ZrO，介质层的制备： 用SOL--GEL方法制备ZrO，薄膜的1．艺流程为：配制质量茸分比为8％的丙醇锆的二一 甲氧基乙醇溶液，在搅拌器内均匀混合并精馏。在上述溶液中加入适量醋酸和水配制水解 液，将水解液旋涂于n衬底上，然后在快速退火炉中250℃燃干lO分钟．5