掺磷多晶硅发射极RCA器件实验的研究.pdfVIP

掺磷多晶硅发射极RCA器件实验研究 叶红飞株芳孙玉秀王玮王颖孟宪馨 北京大学微电子研究所北京10I)971 摘要：本文研究了用单层多晶硅发射檄器件工艺制备的掺磷多晶硅发射极RCA器件。掺磷 多晶硅发射极RCA撩件祷易得到较高电流增益，丑发射极串联电阻很小，为205n。与采 }铒新的HNO；界面氧化方法制备的掺磷多晶硅发射极HNO，器件、掺砷多晶硅发射极RCA器 件、HF器件和金属接触发射极器件(MET)比较，挎磷多品硅发射板RCA器件电流增益的 87％； 温度特性最优，在2l8K～398K温度范围肉，其低温下降率为28．4％。高温上升率为1 在液氮温度F电流增益为3l2，只卜-降到室温下的233％，能够正常工作。 一、引育 为提高电路的工作性能，常常要求电路能够在低温下(如液氮温度)I：作。但是传统 的双极器件的电路增益随温度的下降丽指数F降‘1,21，4；能在低温下正常工作。为使 BiCMOS电路能够在低温F正常工作，以及满足各种领域对全温区高速器件的要求，必须 研制出低温性能良好的双极器件。 RCA器件有比传统双极器件更低的电流增益一温度依赖关系”。4l。按在工艺制作过程中 淀积多晶硅前单晶硅发射区表面处理方法的不同．多晶硅发射极器件可以分成HF器件和 RCA器件。HF器件和RCAN件在结构卜的差异主要就是在单晶硅发射区与多晶硅发射区之 问是否存在一层小于20A的薄氧化层。理论和实验证明，这层薄氧化层正是影响器件温度 特性的重要因素。由于RCA器件的发射区界面氧化层对电流增益的增强作用，可使基区的 掺杂浓度提高，从而降低基极串联电阻，有利于提高器件速度。 以往对于RCA器件的研究集中在发射极掺砷上，{日随着工艺水平的提高，发射极掺砷 在技术上的不足也暴露出来：扩散系数太小，杂质在硅中结团，发射极串联电阻大。而掺 磷多晶硅发射极器件则显得树对优越。 二、实验 选取wn+／p硅外延片，外延层厚度为159m，掺杂浓度约为3×10”crll～，晶l旬是Ooo)。 RCA器件工艺是在先进多晶硅发射极器件(主要指HF器件)制备工艺基础上设计的。HF 器件制备工艺的主要特点有：单层多晶硅发射极、离子注入浅结博基区，发射极与基极侧 墙氧化物自对准隔离、钴硅化物自对准接触和先进的深槽隔离等。图I给出了掺磷多晶硅 发射极RCA器件的结构图。 RCA器件制备的关键就在于要生长好一层高质量小于20A的超薄界面氧化层。我们采 用两种生长超薄氧化层的方法，E[IRCA氧化法”’和HN03氧化法∞】。在工艺流程中，离子注 人激活退火工艺g,]HF器件一般采用1100C以上的快速热退火。但是，对于RCA器件，在其 后续的退火过程中，必须严格控制退火温度，否则界面氧化层会发生破裂或球聚17,8l，多晶 硅直接与单晶硅村底接触并产生外延再生长。这样界面氧化层对少于的阻碍作用就大大减 -747 弱，从而0I起电流增益下降，以及电流增益的温度特性变坏。 界面氧化层破裂的临界温度‘j具体的工艺过程有关(如慕Ⅸ注人的能量、剂量以及发 射区注人杂喷的种类、剂量．能翳等)，一般要求后续退火温度不超过950。C。在实际的 }．艺中，后续退火温度一律取为900C，井根据实验选择最佳退火时问。 谜热退火氧化层厚度变为16A。RCA氧化方法譬长的氧化层厚度一般在16A～I8A，经550 C、l 5秒快速热邀火氧化层厚度变为13A。 蹦上述两种方法生长的趣薄氧化层所制备的器件，在凋p时采用炉退火，其退火温度 选为900c，这是因为温度超过950℃，将会引起RCA氧化层的破裂，使q导RCA器件的电流 增益减小。若温度A低，!f!Ij杂质的激活程度降低，也不利1i提高器件的电流增益。由于实 验中采用磷怍为发射区杂质，其扩散系数比砷大得多，所以退火时间不宜过艮。 在实验过程中，}稿Gaertner科学公司的Ll1 5C型椭圆偏振仪测量薄氧化层厚度，用 HP4145B半导潍参数分析仪测试r晶体管的直流特性。 i、实验结果‘j泔论 表l为掺磷RCA器件、掺砷RCA器件”1和掺磷HN03器件在室温和液氮下直流特性比 x 较．所测器f中的发射区尺寸均为4 lI)姗f。 由丧lMq数据nr以看出，掺