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NPT型IGBT和它的保护特性 西安爱帕克电力电子有限公司 刘荡波 盛祖权 张立(西安71∞61) 曲安千岛实业有限责任公司 何峰 (西安710061) 一系列的优点，它使变换装置的效率及工作频率提高，获得更理想的性能。随着NPT型IGBT性 能的改善．它在应用和保护方面与通常的盯型IGBT也有所差别，如何使NPT型IGBT发挥出最 佳的性能，本文对此进行了较详细的阐述。 1．引言 随着电力电子技术的不断进步，大功率逆变装置向更高的频率、效率和功率密度的方向发 展，对大功率自关断器件的要求也越来越高。为了适应此需求，研制出采用新一代工艺生产的 非穿通型(NPT)IGBT。它与通常的穿通型(PT)IGBT相比，在同等电压、电流容量下，饱 和导通压降更低，开关速度更快．开关损耗小，允许的工作结温高，并且具有方形的安全工作 区(SCSOA)。这些特性的改善更有利于提高大功率逆变装置的作频率和效率。但是，随着 NPT型IGBT导通压降的降低和开关速度的提高，它在故障状态时承受的短路电流值和关断短路 电流时的电流变化率(-di／dt)也会相应增加，使它能承受的短路时间缩短，关断短路电流时的 憾应过电压增加。这就要求对NPT型IGBT的短路保护电路和关断过电压缓冲吸收电路进行相应 亩‘ 的改善，使它能发挥出最佳的应用效果。 2．NPT型IGBT的特性 2．1NPT塑IGBT的结构特征 通常的PT型IGBT采用在单晶片上生长外延层的重掺杂P+区．类似的MOSFET结构就制作 在外延层上来形成IGBT。而NFT型IGBT则不需要在单晶片上生长外延层，它采用轻掺杂的同 质N一衬底，类似的MOSFET结构就制作在单晶表面上，所需的PN结是在硅片背面用P+注入和 轻掺杂形成的。 PT工艺适应的外延层厚度必须能维持额定电压所需的最小厚度．对600VIGBT及重掺杂P+ 衬底来说，外延层的厚度809in。 厚度仅为几个gm．它能承受该区域的压降。 一72— 采用较复杂外延层的PT型IGBT需采用较厚的硅片来制造，盯型IGBTI约厚度通常为 4009in．而相同电压、电流容量的NPT型IGBT捌]可以采用减薄的硅片来制造，它的厚度仅为 2009in。这就使得NPT型IGBT的饱和导通压降能显著降低。 2．2NPT型IGBT的关断特性 采用NPT$4造工艺时，不需使用少子寿命控制工艺，P．发射极区的掺杂可以得到精确的控制， 使注入效率足以保证较低的导通压降Vc∞N1。由于掺杂较轻不会产生关断时抽取的过剩载流 子，使得关断速度较快。 雨通常的PT型1GBT当需要降低导通压降时，P+衬底区需要重掺杂，会产生过多的关断抽 取过剩载流子，减慢了关断速度。它的导通压降和关断速度是相互矛盾的，而NPT型的IGBT则 不存在这个问题。 通常的PT型IGBT的关断速度与温度有较大的关系，会随着温度的升高而减慢。而NPT型 IGBT的关断速度几乎不随温度而变化，在整个工作温度范围内保持关断速度相对不变。 图1和图2分别给出了在150℃结温下，新型的NPT型与通常的PT型IGBT的关断速度和关断能量 的比较。由图可见，NPT型的关断较快，关断损耗也明显减小，而在常温的情况下，它们具有 相同的哭断速度，它们的集电极电流的下降时间均为60ns。 fImCS¨肺n =；『{州 图l 150C结温下PTIGBT的关断曲线图2在150C结温下NPTIGBT能J关断曲线 2．3NPT垂[IGBT的安全工作区 NPT型IGBT在制造过程中能精确控制硅片的掺杂t整个芯片的～致性较好．因而能承受较 ● 大的短路保护能量。它的短路保护安全工作区(SCSOA)几乎为方形，如图3所示。／GBT的短 路保护只要在较小的短路时间内(小T-10雌)，将它的电流、电压运行轨迹限制在安全工作区 scsoA内实现关断，就能得到可靠的保护。NPT型JGBT：占较强的短路电流自限制能力，短路 电流一股能限制到6倍额定电流以内。由图3可以看出，当短路电流小于6倍额定电流时．只要