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沉积金刚石薄膜和优化等离子体放电条件.pdf

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沉积金刚石薄膜与优化等离子体放电条件 任育峰杨思泽 中国科学院物理研究所等离子体实验室 摘要:本文着重介绍微波ECR等离子体气相沉积金刚石薄膜技术。并利于郎缪探针,测量出 氢等离子体的电子温度、密度、与不同气压和偏压的对应关系。 关键词:微波ECR.装置金刚石薄膜等离子体与压强等离子体与正负偏压 一引言 盆阿l石具有许多优异的性能,如它是目前发现的硬度最高、原了密度最大和热导率撮高 鹳物质.它韵光学禁带宽度为55x,在{最竞的波段范甩内(230nmqO。m)光吸收系数很小, 其有银高的光透射宰和电子空穴迁移率及优越的抗辐射性能,这使得盒刚石薄膜有可能成为 未来在高温、尢功率、高集成化,强辐射等条件下工”.的电子器件材料,近年来人们对盒剐 百薄脱的研究主要集中在(=vD台刚石的譬长砷7特性上mq而对气拥沉积薄膜的等离子体放电 参数与薄膜沉积速率的关系分析介绍的轷少、散渡ECR源是稳态箐舀子体耗敲系统,其外部 控制参效可以是^射做波功率.磁场强度、气体气压、真窀室外壳施加偏压等均能引起等离 子体放电参数的变化。近几年我们一直赴作这方面的研究工作。下面我们将实验与分析的结 果介绍如下。 二实暄装置 赛验装置原理蚓见图1所示 微波源的工作频率为2.45GHz.输出功率从150w-一)500w连续可调.等离子体故电腔内 径为170ram长1 并圭行模式转换.扎工计.状态为TE。模式√㈦由线崩I2产生的磁场蟮伉在窗后2cm处. x 侄共振区形成的等离子体班磁场梯度怍用下流向沉积窜.真空室本聪真宇(加玲井)为8 0 o‘p,T作气体为氢气。常规放电Te2-5m.Nc4-{6,1()”cm‘。、 车实验柏珍断醴备为郎缪探针、它位于沉积车的t{,心lz=)8c儿,r=Ocm)。探针是譬 浮的.删带的信号终数锯采集卡输人副计算机“。避{i敦搬锉理 我盯j是在磁场鞫j微谈功率小变的条件F.只分别改蹙真窀空气压压强邱偏蕾电压.进行 宴验的。 一】0j~ 降曼蝻董L 睛‰矧嚼|.k 1。产 ‘ ■州f■■t ..…一】嘲¨m…删Ⅲ■,‘^●^-}■●·7_-t ””一。¨‘。t:’竺1:1:,==¨。”计九“廿幡 si(100)基片沉积金刚石薅氍拉曼请 …!■I‘17Ⅲt ……一。。’。 图l 圈2 i L ‘ 0 { ‘j ‘s::‘‘c1 3f ~~~ ÷?:!‘。1。} ‘。。。‘。l ’。 ^^^^▲‘ Ⅲ’。oi Ir中丁—F—芽一咭—茅一≮F叫-—广1—喘—喘—嘉一 Xaxisnlle .·r十。t’一 Xa×’stitle j^《nⅡ㈨t 图3 图4 rrt+,*Ⅳ^§

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