SMT电子产品表面安装技术介绍.pptVIP

1. 基片技术 基片是在电子部件内部提供高密度多层互连功能的一种材料，基片在部件的封装方面起着关键作用。 目前常用的有陶瓷基片、约束芯板基片、塑性层基片、环氧玻璃基片等几种。 ⑴ 陶瓷基片 由氧化铝（99％或96％）、氧化铵等材料采用薄膜或厚膜技术制成。 陶瓷基片的热膨胀系数（CTE，Coefficient of Thermal Expansion）与陶瓷封装相同，不会出现热膨胀系数失配问题，非常适用于存在未封装裸片的混合电路中。 缺点是尺寸较大，介电常数和成本较高。 ⑵ 约束芯板基片 约束芯板基片由42号合金、包钢钼、瓷化殷钢等材料制成。其特点依所用材料不同而有较大差异， 约束芯板基片具有强度大、体积轻的特点。 ⑶ 塑性层基片 塑性层基片采用增加塑性层的方法制成，在环氧玻璃基片上涂覆环氧树脂层。 塑性层基片的可靠性好，价格较低。但塑性层基片在制作和装配过程中，存在环氧树脂层容易受到化学用品溶解的问题。 ⑷ 环氧玻璃基片 环氧玻璃基片由环氧树脂和玻璃纤维组成的复合材料制成。 环氧玻璃基片具有强度高的特点。 2. 厚/薄膜集成电路（HIC）技术 厚/薄膜集成电路（HIC），是以膜的形态在绝缘基板上形成的一种集成电路，只能集成无源元件。 按膜的厚度和形成工艺的不同，分为薄膜集成电路和厚膜集成电路两种。 薄膜工艺是在绝缘基板上用真空蒸发或溅射金属Au、A1、Cu，然后光刻腐蚀出所需的导体图形。 膜厚约为几十~几百纳米（nm）。 薄膜工艺的流程 ： 厚膜工艺是用丝网印刷、烧结工艺形成膜及图形。 膜厚大约几μm~几十μm。 厚膜工艺分干法和湿法两种。 厚/薄膜集成电路具有如下主要特点： ⑴组装密度高，高频性能好，散热性能好，高温稳定性好。 ⑵ 厚/薄膜基板一般采用氧化铝，其导热率比环氧玻璃布印制板高两个数量级，故有较大的功率密度。 ⑶ 厚/薄膜电路的制造成本高，且基板尺寸做不大。 3. 芯片直接贴装技术（DCA） 芯片直接贴装（DCA，Direct Chip Attach）技术也叫做板载芯片（COB，Chip On Board）技术，就是把裸露的集成电路芯片直接贴装到包括有环氧玻璃（FR4）基片在内的印制电路基板上。 特点： ①比常规的SMT技术有更高的安装密度、频率响应和面积、空间、重量利用率。 ②对生产环境要求高。 4. WB、TAB和FC技术 ⑴ 引线键合技术（WB，Wire Bonding ） 引线键合技术俗称线焊（绑焊），即在裸芯片的电极上焊接引线并把引线连接到电路中。 COB的WB连接示意图 焊接引线的方法有热压焊、超声焊、热压超声焊（又叫金丝球焊）；焊丝材料通常是经过退火的细金丝或掺入少量硅的铝丝。 WB技术特点：WB连接技术灵活方便、焊点强度高、散热性能好，当集成电路的电极焊区及其间距在90μm以上的，都可以采用这种连接方法。WB连接的芯片外形较高、引线的电感量大，在电路板上占用面积较大，装配速度慢，可靠性不容易保证。 ⑵ 载带自动键合技术（TAB，Tape Automated Bonding ） TAB示意图 TAB连接技术特点： 芯片外形较薄，引线较短，电感量小，高频性能较好；TAB组装密度较高，速度较快，可靠性也高，但所需费用也较高。 ⑶ 倒装芯片技术（FC，Flip Chip或FCB， Flip Chip Bonding ） 倒装芯片技术，是将IC裸芯片倒置后直接安装在基片上，互连介质是芯片上的焊区和基片上的焊区。 普通集成电路内封装的连接形式 芯片倒装连接形式： 特点： FC技术组装高度最低，密度比WB和TAB都高。而且安装工艺简单。由于焊区可以做在芯片的任何部位，所以芯片的尺寸利用率很高。 FC的连接有两种方法，一种是焊膏再流焊，另一种是用导电胶粘接。 5.大圆片规模集成电路技术（WSI，Wafer level Scale Intergrate ） WSI主要采用冗余设计、IC工艺、激光修整以及混合集成等方法，把多片集成电路安装到基板上，达到组装要求。 混合大圆片规模集成电路技术（HWSI，Hybrid Wafer level Scale Intergrate） ： 在硅片上沉淀了多层互连的有机或无机薄膜，组装了几十片集成电路裸芯片。它们与另一种先进的组装技术——三维多芯片叠装（3D-MCM）技术相结合，使电路连线极短、组装密度极高。 绑定机 主要适用于生产发光二极管(LEDLAMP)、三极管、数码管(DIGTAL DISPLAY)、手机来电闪、点阵板(DOT MATRIX)、背光源(LED BACKLIGHT)和IC软封装(COB) 旋转偏移 在贴装时发生旋转偏移，合格的标准是