用廉价的光学曝光手段制作亚微米特种器件掩模.pdfVIP

曝光手段制作亚微米特 件掩模 张卫红 李友 睬宝钦 中科院微电子中心 jt京9819信箱9分镗部编：100029 摘要：本文主要介绍了利用光学曝光手段加工亚微米特种器件掩模工艺过程中的几个问题 和解决方法。 关键词：微细加工，光学曝光，电子柬曝光，亚微米，特种器件，掩模 随着我国微电子事业的不断发展，作为微电子技术工艺基础的微电子微细加工技术也 进入到亚微米、深亚微米、纳米级的加工阶段。为了适应国内微细加工工艺研究的需求， 我们中心于98年产5月从日本引进了JBx．5000LS电子束曝光系统，使我们单位的微细加 工水平又上了一个台阶。采用电子束曝光是目前国际上较为流行的微细加工手段。可现阶 段只有国内少数几个单位能够用电子束曝光进行微细加工方面的工作，其根本原因就是使 用电子柬曝光系统的成本相当高，主要包括设备运转成本和抗蚀剂成本，影响了电子柬曝 光在我国微细加工技术中的应用。那么，能不能用现有的又较为成熟的光学曝光手段在国 产铬(Cr)板一h实现O．Sum～Ium图形的掩模的制作，降低研制成本，为国内一些资金比较 少的单位解决对亚微米图形掩模的需求呢?我们最近几年通过采用85年引进的美国GCA 公司PG3600F图形发生器和PR．3696精缩机的相互配合，对显影工艺的摸索，已经能够实 现o．5um图形掩模的制作。为廉价开展亚微米器件研制创造了条件。 微细图形的数据补偿：当进行1tim以下图形的显影刻蚀工艺中，最难克服的就是侧向 腐蚀现象和光学邻近效应的影响，它对图形最窄部分的影响是至命的。于是我们在数据处 理过程中，把需要曝光的部分的数据改变．比原始数据加宽o．2um--．O．3urn，这样在以后的 刻蚀过程中可以把侧向腐蚀和邻近效应造成的图形变化恢复到实际线宽，把它们对图形的 影响降低到最小程度。 进行数据补偿后进行0·5um线条曝光示意图 没有数据补偿进行O．5um线条曝光示意图 224 曝光量和显影时间控制：抗蚀荆曝光后，内部吸收光能密度分布是不均匀的，和成象 面的光强分布不完全吻合，一部分成象光束在进入胶层后被抗蚀剂吸收而衰减，另一部分 到达基片表面又被反射回来与入射光发生干涉产生驻波效戍，还有部分被散射到邻近区域， 从而在抗蚀剂的内部形成相当复杂的吸受能量分布。根据以L原因，对于弧微米线条，我 们采取增加曝光量，是正常曝光时间的2~3倍，使航蚀剂的的最深层充分吸收能量。我们 仍然采用传统的湿法显影J=艺，显影液是非常便宜的0．7％的氢氧化钠(NaOH)水溶液。显 影的关键是严密控制温度和时间关系。根据我们对AZJ450和S1400抗蚀剂多次实验经验， 得出不同结构的微细图形相应的最佳曝光显影条件(如单根黑线场为透光；单根亮线场为 蔽光和黑白相问的线对图形)。 此外，影响微细图形加工的因素还比较多，例如中间掩模的质量(对比度，过渡区， 图形边缘质量)；铬板的质量(胶和铬层的亲合度，钻蚀现象，坚膜均匀度)；光源均匀性 等。 结论：就目前我国的国情而言，采用光学曝光实现o．5urn～1um微细}到形掩模加工，不 失为～种有效手段。其优点是投资少，工艺较简单，加工周期短。但只能为一些图形比较 简单的特种器件加工掩模。我们已经为本单位的研究部三室、新器件组加工了～批如砷化 器件掩模。 附：采用GCA3696精缩机制作亚微米线条的电子显微镜照片，分别为444纳米单根 黑线结构，468纳米单根亮线结构和一种声表面波(ASW)器件掩模结构。 、．线宽为O7um间隔为0．4urn的声表面波(Aswl器{牛 225 2．线竞为444辘米单报黑线镣掏： 3．线宽为468钠米草缦亮线结构： 226