重掺锑硅单晶生长中锑的分凝和挥发.pdfVIP

重掺锑硅单晶生长中锑的分凝与挥发 罗木昌杨德仁沈益军 李立本张锦心阙端群 (浙江大学硅材料国家重点实验室 310027) 摘要：本文研究了重掺锑硅单晶生长过程中锑的丹凝行为，指出在同样的工艺参数下，热场 不同．锑的有效分凝系数有很大的差异。同时对收集的挥发沉淀物，通过XRD，XPS分析 其成份，发现锑以氧化物形式挥发，并对锑的挥发机制进行了探讨。 关键词：硅单晶生长，重掺杂，锑，挥发．分凝 一、引吝 随着VLSI／ULSI时代的到来，CMOS_[艺匿其种种优良的特性而备受青睐。重掺锑硅 子软失效而引起国内外研究者的广泛兴趣。但是重掺锑硅单晶的生k又有着与众不同的特 性，其中一个重要原因是因为其平衡分凝系数很小(0．023)，以至于要得到目标所需的低 阻硅片，锑的掺八量需要很大．从而导致生长中一系列问题如组份过冷…，锑的严重挥发， 生长单晶困难等。迄今为止，有关熔硅中杂质分凝行为都由Burtonetal在1953年提出的 BPS关系来解释r2／；但是对于锑的分凝，由于缺乏准确的有关锑在熔硅中的扩散系数及粘 度系数的值，许多研究者所引用的有效分凝系数很不一致。与此同时，关于锑的挥发，国 内外研究者的意见也是很不相同，有人3。5】认为是毗sb：q形式挥发，有人“’认为是以Sb2 蒸气形式挥发。x．M．HUANG等也在其文章”…中考察了锑的挥发，认为锑是以sb20的 形式从熔硅表面挥发的，并认为sb20的挥发速率是SiO的3倍，以此来解释了重掺锑硅 片中氧的大幅减少。但对这个问题目前尚没有定论，而且在实际的单晶生长条件下锑的挥 发还没有人研究。由于在实际晶体生长过程中锑的挥发和分凝同时进行，研究这两种行为 无论在理论还是在实践中都有较重要的意义。本文通过一系列的重掺锑硅单晶的生长考察 了锑的分凝行为，并对收集的沉淀物通过XRD、XPS手段分析了沉淀物的成份，考察了锑 从熔硅中挥发的机制。 二、实验 2．1样品制备 CG-3000型拉晶炉拉制的，考虑到在细颈生长刚结束放肩开始阶段，熔硅中锑的浓度基本 上只受到从锑掺入到放肩开始这段时间的挥发的影响，而熔硅的体积基本上可以认为没有 变化，也就是说基本上没有因分凝而起变化。取样点在每根单晶细颈末端和肩部尖端。对 该部位硅片进行四探针电阻率测量，对应可得到该部位硅片中锑的浓度，由于尚得不到专 门针对锑为掺杂刺时电阻率与杂质浓度的对应关系的数据，本实验按ASTMF723．88标准 进行换算。 2．2成份分析 从炉缸壁收集了沉积物。用XRD、XPS对其结构、成份作了分析。XRD测试中所用 的射线源为CuKⅡ(1．5405A)，管流、管压分别为20mA及40KV。 Ka(1486．6 XPS方法的测试中选用的靶材为A1 ev)，条件及各参数如F：藏压为 14KV，背景真空小于2×10～Pa，功率为250W 74 三、结果与讨论 3．1锑的分凝行为 表1是所拉制的几根单晶的具体情况，单晶均是按(111)方向生长的。这里所选取的 每根单晶的生长情况虽然都不一样，但是对每根单晶，在取样点部位我们所采用的拉晶工 10。cm／s 艺：如拉速、晶转、埚转、埚位都相同。具体参数为V=lAX ”相对=33rpm。 表l掺锑单晶生长中锑的分凝 细颈末端 初始掺杂 有效 晶体编号 电阻率 杂质浓度C。 浓度C。 分凝系数(大于) 1018atom／cm31018atom／cm3 (oecm) S-l O．0158 2．05 61．84 0．0332 S．2 0．0144 2．43 69．29 0．03