铈掺杂钛酸铋陶瓷铁电与介电性质研究.pdfVIP

第32卷第l期 吉 林 化 工 学 院 学 报 V01．32No．1 0FCHEMICAL 2015年1月 JOURNAL0FJIUNINSTITUTE TECHNOLOGY JaJl． 2015 文章编号：1007也853(2015)01旬082_05 铈掺杂钛酸铋陶瓷铁电与介电性质研究 程小荣，史小波，牟淑娴 (苏州工业园区职业技术学院电子工程系，江苏苏州215123) 摘要：采用固相烧结工艺制备了铈(ce)元素掺杂钛酸铋(Bi。Ti，0，：)材料构成Bi。Tj，一。CexO，：(戈=O， 0．015，0．03，0．06)铁电陶瓷材料并研究其介电以及铁电性质．晶格常数随着掺杂浓度的变化，意味着 Ce4+／Ce“对A位和B位的掺杂，明显提高了钛酸铋铁电陶瓷剩余极化强度，并且Bi。Ti，一；Cex0，：铁电陶 瓷的介电损耗随温度的变化比一般的B位等电价离子取代的情形更加平缓． 关键词：铁电；介电；陶瓷；极化 174．75 文献标志码：A 中图分类号：TQ 具有层状结构的钛酸铋(Bi。Ti30，：)等铁电畸变，从而增加了Bi。Ti，O，：的剩余极化强 材料作为一类很有潜力的无铅氧化物铁电材料在 度¨乱J．并且，B位取代掺杂离子因为有更高的电 非挥发性随机存储器件(NvRAMs)方面有很大的 价，能够减少Bi。Ti，O，：材料内的氧空位可以更好 运用前景．其中不同元素掺杂Bi。E0。：系列材料 的提高剩余极化强度以及疲劳寿命¨卜”』．uchida 因为具有较大的自发极化强度，较高的居里温度 等人认为等电价的B位取代掺杂是无法提高剩 以及较低的制备温度近年来吸引了很多研究者的 余极化强度的¨8|．但是也有研究者认为，剩余极 兴趣u引．离子取代掺杂是目前对Bi。Ti，O，：铁电 化强度的增强与掺杂离子的半径以及掺杂浓度没 材料研究中成果较多的研究方向，有研究者通过 有必然的联系u0|．目前，关于Bi。Ti，O，：铁电材料 镧(La)和铌(Nb)元素掺杂明显提高了Bi。Ti，0坨 等电价B位取代掺杂以及较小浓度的稀土镧系 材料的剩余极化强度并且改善了其疲劳寿命¨J． 元素掺杂研究工作还很少．Nikolina等人研究了 其他的研究者发现，许多稀土元素，如钬(Ho)，钆Ce和La共掺杂Bi。甄O，：陶瓷的介电性质以及微 (Gd)等的掺杂都能改善Bi。Ti，0，：的铁电性 观形貌，Chen等人研究了Ce：0，在A位掺杂 质【7。9 J．w．Li等人认为，在这类A位原子取代掺 Bi。Ti，0，：陶瓷的介电以及铁电性质，掺杂后样品 杂的情况中，掺杂元素的原子半径必须比A位的 的剩余极化强度可以达到20¨C／cm2[19删．本文 铋原子要小．掺杂原子进入Bi。Ti30。：品格后取代 主要研究了Ce随掺杂浓度变化出现A位和B位 了A位的铋(Bi)原子的位置增强了Bi。Ti，0，：晶 同时掺杂Bi。Ti，O，：陶瓷的介电以及铁电性质，并 格中处于a_b平面的TiO。八面体的旋转，并且这 且得到了比单独A位掺杂更大的剩余极化强度． 些较小原子半径的掺杂原子还可以占据层状钙钛 矿层中的铋原子的位置使得TiO。八面体沿a轴1 实验部分 的方向移动¨…．另有一些研究者认为，一些离子 半径比Ti4+大的施主离子，如V5+，Nb5+