纳米ZnO与稀土离子共掺SiO2薄膜的制备与荧光增强效应.pdfVIP

第二届全圉纳米材料与结构、检测与表征研讨会 纳米ZnO与稀土离子共掺Si02薄膜的制备 与荧光增强效应 林涛，王云姬，徐骏，万能，徐岭，陈坤基 南京大学物理学院和电子科学sI程学院。南京微结构国家实验室，南京210093 研究目的 半导体氧化物纳米颗粒的制备与特性研究是当前的一个热点领域，其中，氧 化锌(ZnO)材料是一种性质稳定的直接带隙半导体材料，禁带宽度3．37eV，其 在390rim处有很强的荧光发射。另一方面，稀土掺杂硅基薄膜的制备也是半导 体光电子领域的研究热点之一，稀土的强荧光特性使得人们希望在掺入硅基材料 中时实现高效的硅基发光。但由于稀土离子在硅基材料中的有效激发截面很小， 导致荧光效率不高，从而影响了其实际效果。本文研究了利用化学方法合成纳米 ZnO颗粒，并将其与稀土Eu3+离子共掺于Si02薄膜中，研究了ZnO的尺寸与浓 度对稀土发光的作用和影响。观察到了由于ZnO纳米颗粒与稀土离子之间的能 量共振传递所引起的荧光增强效应。 实验方法 我们使用溶胶．凝胶法，以正硅酸乙酯为前驱液，Zn(N03h和Eu(N03)3为原 料，通过后退火制得了ZnO纳米颗粒与Eu3+离子共掺的非晶Si02薄膜。利用透 射电子显微镜及X射线衍射谱仪检