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材料化学
材料化学的理论基础
4 晶体缺陷
理想晶体结构,只有在特殊条件下才能得
到(如在卫星或宇宙飞船上,失重条件下生长).
实际生长晶体时,由于生长条件的波动
和外界条件的干扰,长出的真实晶体总是具
有缺陷。
缺陷本身具有不利的一面,但也有其有
利的一面。
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石墨的层状结构
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材料化学的理论基础
这些缺陷对于晶体的化学性质影响较小,
而对于许多物理性质(如电性能、磁性、光
学性能以及机械性能等)常常起决定性作用。
所以缺陷对晶体的利用有着重要意义。
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4.1 晶体点阵缺陷的分类
4.1 晶体点阵缺陷的分类
从几何的角度看,结构缺陷可分为
• 点缺陷(杂原子置换、空位、填隙原子)
• 线缺陷(位错)
• 面缺陷(堆垛层错、孪晶界面等)
• 体缺陷(包裹杂质、空洞等)
其中以点缺陷最为普遍也最重要。
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材料化学的理论基础
点缺陷是指完整晶体中,个别离子或原子的排列
受到破坏而产生的缺陷。
包括空位、间隙原子、错位原子和杂质原子等。
图(a)中按晶体周期性排布
应该出现原子的地方没有
原子,形成了空位;
(a)空位
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材料化学的理论基础
(b)杂质质点 (c)间隙质点
(b )黑球为杂质原子 (c )间隙位置被外来
即一种原子被另 原子占据。
一种原子置换;
点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材
料的高温动力学过程等有关。
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① 本征缺陷
本征缺陷是由于晶体本身结构不善所产生的缺陷。
有两种基本类型:• 肖脱基(Schottky)
• 弗兰克尔(Frenkel )缺陷
这两种缺陷能产生在所有的晶体中。
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材料化学的理论基础
肖脱基缺陷
• 原子空位(对金属晶体) □
• 离子空位(对离子晶体):阴离子和阳离子按化
学计量比同时空位,
例如在NaCl 晶体中,Na+和Cl-离子的空位数相等
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材料化学的理论基础
(a )单质中的肖特基缺陷的
形成
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弗兰克尔缺陷
一种离子(或原子)移向晶格间隙,然后留下
空位。
这种缺陷最常发生在阳离子远小于阴离子或
晶体结构空隙较大的离子晶体中。
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弗仑克尔缺陷的形成(空位与
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