低压低功耗集成电路%3aSOI技术的新机遇.pdfVIP

低压低功耗集成电路：S01技术的新机遇 张兴 王阳元 I北京大学微电子学研究所) 子效应、软失效、体效应及寄生电容等同题对电路性能的影响。SOI器件在低压低功耗领域的许多优势是体硅器件 是低压低功耗集成电路的理想技术，同时低压低功耗集成电路的飞速发展也为S01技术提供了一个新的机遇。 关键词低压低功耗SOl体硅CMOS 1 引 言 器件尺寸的缩小极大地改善了超大规模集成电路的性能，但随着器件尺寸的缩小，也带来了很多问题。 由于器件尺寸缩小对器件性能的影响主要分为两类，一类是灾难性的，即影响器件的功能及可靠性，其中最 突出的是热载流子效应；另一类是造成动态节点的软失效，在DRAM中这个问题尤为重要。为此人们虽然 突出。因此，降低电源电压已成为ULSI解决以上问题的主要措旆，同时低压低功耗器件在卫星、便携式计算 机以及移动通讯等领域中也有着极其广阔的应用。正是在应用需求与技术需求两种动力的推动下，近年来低 压低功耗电路得到了飞速的发展。 由于体效应的作用及寄生结电容增加等原因，电源电压降低，会使电路驱动电流减小、泄漏电流增加，引 以说SOI技术是研制低压低功耗电路的理想技术之～。 下面将分别就热载流子效应、软失效、体效应等几个关键问题对S01器件与体硅器件进行比较，并分析 了它们在低压低功耗领域的特点及优势。 2热载流子效应 热载流子退变是影响MOS器件可靠性最主要的因素之～。晶体管中的横向电场与电源电压近似成正 比，与栅长近似成反比。当器件尺寸减小到亚微米、深亚微米领域时，横向电场急剧增强，电源电压必须降低。 当器件工作于饱和状态时，在沟道夹断点和漏结之间形成相当强的电场，电子在高场区获得足够的能量成为 高能电子，其中一部分注入到栅氧化层中，使SiO。／Si界面受到破坏；高能电子还可通过碰撞电离产生电子 空穴对。器件的寿命和栅氧化层中热电子注入的数目有关，由栅氧化层热载流子退化定义的器件寿命f与碰 撞离化电流的关系如下…： r。。≥(M一1)一 (1) 』D 式中：m一3…，M为碰撞离化放大因子，并且厶“一(凹一 1)J一，JM为碰撞离化产生的空穴电流。图1给出了同样尺寸 的体硅和薄膜全耗尽sOIMOSFET的放大因子(M一1)与漏 源电压的关系曲线“3，很显然，与体硅器件相比，全耗尽s0I MOSFET的热电子退变效应要小得多。结合方程(1)可以得出， 全耗尽SOI器件的寿命也比体硅器件长得多。 图1碰撞离化放大因子与祸电电压的关系 3软失效 当载能粒子(例如n粒子或者重粒子)入射到反偏的pn 结耗尽区及其下面的硅衬底区时，沿着粒子运动的轨迹会 电离产生出电子空穴对，见图20)。在体硅器件中，碰撞电 离产生的电子被耗尽层收集，使耗尽区的电荷大量增加，进 而使该器件所在的电路节点处的逻辑状态发生翻转，引起 电路的软失效。由于软失效是随机发生的，对电路的可靠性 影响极大。特别是随着集成电路尺寸的缩小，使电路逻辑状 图2载能粒子射人体硅和SOI器件的情况 态发生翻转所需的电荷能量越来越少，软失效问题已成为 影响集成电路等比例缩小的一个关键。 MeV，约产 对于DRAM，缩小单元面积的关键因素是口软失效。一般地，射人到硅片的a离子的能量为6 生106电子空穴对。3，这些电荷有可能被存“1”的结点所收集，造成信号丢失。为了避免这种情况，结点上存 储的电荷就要大于106个电子电荷，在1．5V电源电压下，近似地，存储电容应大于： 9 ，、 Q 106×1．6×10-1 L。可一———11■～ (2) 的pn结收集，见图2(6)，只有那些在薄层SOI器件的顶层硅膜内产生的电子才有可能被收集。