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电子束直写在亚微米器件制造中的应用 梁俊厚陈宝钦张建宏李友刘根庆 (中国科学院微电子中心北京9819信箱i00029) 葛璜 中国科学院半导体所北京912信箱100083 周先明 中国科学院声学所中关村17号 摘要本文报导了用电子柬直写研制亚微米器件的结果，我们针对不同的电子柬机型，采用了不同的电子束曝光 工艺(包括抗蚀NT艺、曝光工艺及图形转换工艺)，研制的器件包括具有0．2弘m栅长的高电子迁移率晶体管 和滤波器，以及具有0．5“m叉指的MSM(金属一半导体一金属)光检测器的器件图形，除MSM因条件限制，图形 转换工艺遇到缎大困难未形成器件而外。前两种器件经溯试证明：线条清晰，线宽均匀，高频性能优良，性能一致性 好．另外，在微米级可变矩形电子柬曝光机上研制成具有o5pm叉指的MSM器件图形，亦证明我们采取的曝光工 ‘ 艺是可行的． 一、引言 电子束对各种品片进行无掩摸直接光刻(即直写)是它在微细加工领域的一大特色，该技术在 国际上已得到广泛应用，并取得良好效果，大量文献报导：[111研制的HEMT器件最小栅长达0． 1“m；MSM光检测器叉指宽度达25nm，其响应时间为亚皮秒；制造的SAW滤波器叉指宽度为0． 4“m，中心频率为2．6GHz；在纳米器件的研制方面，已获得小至10nm的图形；在电路制造中已制 作了最细线宽为0．2pm的256Mb的DRAM……。而在我国，有关电子束直写的研究报导甚少，尤 其是在电子柬直写实用化研究方面尚属空白。本文的目的在于：通过展示我们的研究结果，促进我 国电子柬直与在新功能器件、特种器件、新型电路、ASIC等方面的制造及纳米器件的研究中获得 更加广泛的应用。 文中主要介绍了我们用电子直写制造亚微米器件及器件图形的结果，描述了制造过程中所遇 到的技术难点及采用的相应技术方案，亦给出了经多种检测手段揭示的器件性能水平。 二、器件制作 1．研制过程的技术方案选择 (1)抗蚀剂工艺 无论是HEMT、SAW或是MSM器件，影响其性能之关键均在于栅长和叉指宽度，形成高分 辨率的抗蚀剂图形则是形成高性能器件的首要之点，对抗蚀剂种类的选择、膜厚的控制、电子柬曝 光性能的研究亦是器件制作过程中极为重要的环节，因此必须把握抗蚀剂工艺大关，我们曾试验过 多种正性，负性电子抗蚀剂，从效率来看理应选择负性抗蚀剂(如CMS等)但由于其分辨率低及易 于出现非曝光区残膜等难点，因此我们最终选择了OEBR—1010及EP一3两种正性电子抗蚀剂， 艺，已有另文介绍[5]。 (2)图形转换方法 在形成抗蚀剂图形之后，必须将抗蚀栽图形精确地转换至不同的晶片衬底上，才能形成真正的 器件结构，我们曾采用过单层(或双层)抗蚀剂——剥离及单层抗蚀剂——腐蚀工艺转换图形，除在 MSM器件研制中至今尚未获得成功外，我们将单层抗蚀剂——剥离用于HEMT制作及单层抗蚀 241 剂——腐蚀用于SAw制作是行之有效的． (3)电子束曝光机型及曝光方式选择 根据HEMT及SAW器件的图形结构的复杂程度、对线宽的要求及生产效率等因素考虑，我 I可变矩形电子束曝光机直接扫描方式 HEMT器件，而SAW及MSM器件图形则采用JBx一6A 制作。 确定上述研制方案后，在实际曝光过程中，作者曾遇到过诸多困难，技术难点的解决，便获得了 器件研制的成功， 2．器件研制的技术难点 (1)HEMT器件 在HEMT器件制造中由于解决了电子束寻标逋道、E--B／UV混合曝光的匹配、电子束曝光、 显影V型槽的形成等技术难点而获得了成功(详情参看另文)【6]‘73 (2)SAW器件 JBX一6A 我们利用JEOL 衬底直接扫描曝光，研制SAW器件，该机的实用化技术指标是适用于2pm