多晶硅薄膜应力特性的研究.pdfVIP

—盅室墨全璺堕生蔓堕茔查金垫煎塞基 21 1 多晶硅薄膜应力特性研究 张国炳郝一龙孙玉秀陈文茹肖志雄王铁松武国英 北京大学微电子学研究所，北京100871 本文报道了低压化学气相淀积(LPCVD)制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件．退火温度 和时问及掺杂浓度关系的实验结果．LPCYO制各的多晶硅薄膜具有本征压应力．采用快速退火 (RTA)可以使其压应力松弛。并可使其转变成为本征张应力． 关键词：本征应力．快速退火．微电子机械系统 一．引言 多晶硅薄膜由于其特有的导电特性和易于实现自对准工艺的优点，在大规模集成电 路(VLSI)的制备中有着广泛的应用．对多晶硅薄膜的导电特性已进行了深人的研究…．近 本结构材料，其机械特性直接影响着器件的性能和稳定性、可靠性． 在MEMS应用中要求多晶硅膜本身具有较小的张应力且膜内有小的应力梯度，如果多 晶硅膜内应力过大，会使MEMS结构层形变甚至断裂，造成器件失效．所以，控制制备工艺 条件．使其具有较小的张应力，成为MEMS制造工艺中的一个很关键的1q题“…1． 本文对LPCVD多晶硅薄膜的应力特性进行了实验研究．主要包括：制备工艺条件、 退火温度和时间、掺杂浓度和微结构组成对其应力特性的影响．实验中采用薄膜全场应力 硅膜的微结构组成． 二．实验 (1)实验样品制备： 实验样品采用在N型(100)单晶硅衬底热生长300-500nm厚的siot膜：再用低压化学 气相淀积生长多晶硅薄膜，工艺条件为：淀积温度分别为575℃和6i0℃，压力225mTor r， 磷(P+)对多晶硅掺杂；为研究应力特性与退火温度的关系，我们采用快速退火(Nz保护)， 退火温度从800℃一li00℃，退火时间30秒，并在1100℃下改变退火时间(1 0秒一60秒)． (2)薄膜应力测量： 采用我所研制的薄膜全场应力测试仪测量多晶硅薄膜应力“’．它采用光偏振相移干涉 原理．通过测量由于薄膜应力引起的衬底形变或曲率半径的变化，再转换成薄膜应力，其应 力分布可表示为： ；!! 釜壶壁垒基堕焦显蕉茎查金墼丝塞盔 呻，白竽圭罴t掣+挈…， 其中E和V为硅村底的扬氏模量和泊松比； ts和t，分别为衬底和薄膜的厚度． 该测量系统有下列优点：(a)应力测量具有全场性，可在整片上同时测量形变和应 JET—IEl】dyne／cm2．实验中，我们采取分别测量膜淀积前后、退火前后的基片形变，根据上 式计算出膜的应力值． (3)多晶硅薄膜微结构组成的分析： 采用X光衍射技术(xRD)测量分析了多晶硅膜的相结构组成，仪器为日本理光D^IAX- 24 rer公式”’可求出晶粒 00型x光衍射仪(Cu)靶．测量衍射峰的半高宽(FWHM)，根据Scher 尺寸． 三．实验结果和讨论 (1)淀积条件和离子注入掺杂对多晶硅膜本征应力的影响 表1给出了不同淀积温度和不同离子注人掺杂浓度的多晶硅薄膜应力测量结果 表1．不同淀积温度和离子注入掺杂浓度对应力的影响 编号 l’ 2。 3。 4。 5。 24‘ 25。 淀积温度(℃) 61D 610 6】O 61O 6】0 575 575 注入掺杂 1 00 l 00 1 00 未注入 来注入 100未注人 4El4 8E14 8E15 2El6 能量(k