多晶硅太阳电池的表面织构化.pdfVIP

多晶硅太阳电池的表面织构化 王永东曾为民孙铁囤崔容强 (上海交通大学应用物理系太阳能研究所200240) 文摘：由于多晶硅电池表面晶向的无序性，传统的用于单晶硅的各向异性腐蚀不再 有效。本文从降低成本，提高效率的商业角度出发，介绍两种多晶硅太阳电池表面 的织构化技术。 、关键词：表面织构化，光陷阱，垒反射 0 引言 由于晶体硅是间接带隙半导体，吸收系数较弱，因此要充分吸收入射光就需要一定的 厚度，这不仅会增加电池原材料的成本，而且由于光生载流子的扩散长度有限，使其在到 达口n结被内建电场分开之前就复合掉了。为了解决这个问题，就必须利用光陷阱技术以提 高光在电池中的光学路径长度，这样就可阻降低对电池厚度的要求。对单晶硅太阳电池来 说，可先光刻，然后各向异性腐蚀(100)晶面而在电池表面形成倒金宰塔结构，或直接利 用各向异性腐蚀(100)晶面在电池表面形成随机分布的金字塔结构。这些技术的引入都可 以太幅度提高太阳电池的效率并降低成本。然而对于多晶硅．出于其象乱的晶向分布．无 法利用以上技术达到良好的光陷阱和减反射效果，因此非常需要研究适合于多晶硅太阳电 池的表面织构化技术，本文介绍了两种多晶硅太阳电池表面织构化的方法。 1 传统的表面织构化工艺介绍 表面织构化对太阳的特性起两方面的重要作用。第～是通过再次收集表面反射光而 达到降低表面反射损失的作用：第二是通过内反射将光陷在电池内部。目前多晶硅太阳电 池的表面织构化方法有很多，如激光刻槽，等离子刻蚀，机械刻槽，化学腐蚀等。激光科 槽速度慢且不适合子薄的衬底，等离子刻蚀成本又相当高，机械刻槽显示了优良的减反射 性能，但是不适台于薄衬底。本文着重介绍了用于多晶硅体电池的机械刻槽工艺和薄膜电 池的化学腐蚀法。 2 机械刻槽工艺 将一系列刀片固定在同一个轴上，如图lⅢ，刀片的顶角变化范围为35。～180。(顶 角为180。时即为传统刀片1，刀片的厚度约为40,-,150tm，实验显示刀片的项角为356时， m 得到最有效的光陷阱作用…。在波长为950nm处反射率最小，为5．6％，在500～1000 之间R。，=6．6％。在400～t100nⅢ之间R。=7．6％。对x≥1200Ⅻ的波段，同抛光片样品 相比反射率有了明显的增加。 这种多刀片刀具，具有刻槽速度快，工艺简单和图形均匀的优点，而且能够形成类似 于单晶硅各向异性腐蚀形成的金字塔图形。刻槽后的切割损伤可用体积比为3：43：7的HF 一31— (5096)；嘲03(6596)：CH3COOH(96％)溶液去除。 ，蛩N、N《心K f l (，………了 ＼一一——≥ 、、融^^产、敞f＼俄 3 化学腐蚀法 3．i表面织构化‘31 · 在实际情况中、电池是用玻璃或其它填充物封装的。我们可以在玻璃表面形成一定的 结构而不必在电池表面织构化来减少反射和形成光陷阱．但这样一来就会带来一个问题， 粗糙的表面容易积聚灰尘且不易清洁。因此我们仍然保持玻璃表面是光滑的，而在多晶硅 电池表面织构化。 我们可以利用在空气／玻璃界面上的全反射来陷住反射光，降低反射损失。对玻璃 (n_l 5)来说，全反射角约为42。，由于电镀金属栅指是圆形横截面，大部分从栅指反 射的光在空气／玻璃界面又被全反射回来。 具有减反射功能的粗糙表面还可以提供良好的光陷阱作用。这是因为对弱吸收光来说， 从硅到封装材料的全反射角为24。，只有少部分的光以小于24。角从硅中逃出，并进入封 装材料，并且其中的大部分光又在空气／玻璃界面全反射回来。如图2所示。从图可知， 对于垂直入射光，斜面倾角只需大于或等于21。即可形成全反射。在光线掠入射的最坏情 况下，斜面倾角为船。时即可形成全反射。实胼上大部分入射到太阳皂油箱件的有用光线 的入射角都在45。以内，这样斜面倾角为36。即可。