多晶硅薄膜与多晶硅发射极光电晶体管.pdfVIP

—釜查亟全旦旦生蔓鏖皇查垒垫查圭基 丝! 多晶硅薄膜和多晶硅发射极光电晶体管 李国辉王晓慧闰风章姬成周牛家胜刘超 (北京师范大学低能核物理所 100875) (jc京市辐射中心) 摘要 本文研究了用【厂rr一}0型超高真空锾膜机蒸发形成的多晶硅薄膜的离子注入掺杂和退 火特性，并用多晶硅发射极制作了新型的高灵敏度光电晶体管，当入射光功率为44nw时， 光电增益达到了3386． ～．引言 近些年来多晶硅薄膜得到了人们的广泛关注。生长多晶硅薄膜方法很多，如真空蒸发、 溅射龟化学淀积、化学气褶淀积(CⅥ)法)、分之束外延等方法。 由于多晶硅薄膜具有可以成为高电阻和低电阻、耐高温、与硅形成较低的势垒等的特 性，所以它已经广泛应用于多晶硅播奄极，单层、多层互连引线，高阻负载电阻，器件绝缘 隔离，掺杂扩散源，欧姆接魉引线，多晶硅发射极及异质结晶体管等。 多晶硅作为发射极可以提高晶体管鲍增益，Cn-aue等人n·第一次提出了多晶硅具有较 S．Hamelt：l等人 小的重掺杂效应，从而使△E。AxE自。因此使多晶硅晶体管增益有所提高。J 叉从隧道发射区理论解释了多晶硅发射区提高增益的现象。目前在光纤通讯或激光测距核控 导领域要求有高灵敏的光电探测器。 本论支选用了超高真空制膜设备在光电晶体管的基区上生长r 3000i．的多晶硅，用 ^s。1 x OOKeV，1 退火使注入的砷激活后，用950(2 30秒将碎推进到单晶硅中形成发射锻，母f制了高灵敏度 的多晶娃茂射极光电晶体管。 二、实验方法 1．多晶硅薄膜生长 型超高真空电子束蒸发系统。此设备的主要特点是可用于难熔固体的蒸发，并且设备具有两 个电子束加热源，可以同时蒸发两种物质。制各多晶硅薄膜时，样品向下置于靶上，源在系 统的下部，电子枪出口在源的旁边，发射出的电子束受到磁场的控制打到源上，使其蒸发。 生长时靶室真空度为3×l 算机能在设定韵范围内梭程序自动调节蒸发速率并控制厚度。瞑厚的控制是靠样品靶旁边的 石英晶体振荡器完成，振荡器上标准石英片上的膜厚和样品的膜厚是相同的，石英片上薄骥 质量的不同使其振荡频率不同，通过井接感应装置监视振荡器的频率来控制膜厚。用我们的 方法生长多晶硅薄膜具有易操作、膜厚能精确控制且重复性好等优点。 2．多晶硅掺杂及退火 ， 00KEY， l×tO“cm。As’离子注入多晶硅，用快速退火和热退火处理后，使用四探针和蒂德像尔法驯 型§ 星盎星全璺里签整墓堂垄垒丛堡塞塞 了电激活特性迁移翠，通过x射线双晶衍射测量了多晶硅层特性，并用最佳条件研制了多晶 硅发射极晶体管． 三．结果与讨论 1．ks+注入多晶硅退火特性 I×1 将生长后的多晶硅层用1OOKoV 016Cm。ks‘离子注入，注入后的样品首先经550℃ 探针和范德堡尔法测量了薄层载流子浓度(N。J，薄层电阻率(P。)和霍尔迁移率(p”j， 其结果显示于右表中． 从表中可以看到随退火温 表：As‘100IeVI x10“cm2注入多晶硅 度的升高以和口F逐渐提高， 退火条件和N，，P，和nH的关系 1 050’ii0011501200 电激活增加，迁移率增加，则 O