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’98全国第七届“微玻集茂电路覆工艺”学术会沦交枭 B-4
多音和数字信号的器件级复包络分析”
屠焱洪兴楠高学邦·
清华大学电子工程系 100084
微波与数字通信国家重点实验室
’电子工业部第十三所
提要 复包络分析法特别适用于分析现代数字无线通信系统(例如cDMA和TDMA).本文从器件的角度
采用复包络法分析了多音和数字信号激励的非线性电路特性,研究TMESFET67的各个非线性部分对电路特
性的影响。
关键词 器件复包络分析法延拓法MESFET
一.引 言
复包络法在分析速度方面明显快于时域分析法(SPICE)和谐波平衡法,因此被广泛用
于数字信号分析。而以往采用复包络法对非线性器件的分析都是系统级的【11,即通过测量端
口参数求得AM/AM和AM/PM函数,以此来反映器件的特性【3】。这虽然简化了分析过程,但
没有反映出器件内部各部分对整个系统的影响。为了更好的设计系统,就必须把系统级分析
深入到器件级分析。
二.原理及方法
复包络分析法分析非线性电路时,首先把整个器件分成线形部分和非线形两部分,分别
在线形部分和非线性部分求出复包络电压和电流值,然后在端口处建立复包络平衡方程,最后
采用恰当的方法求解该平衡方程。由于是在器件内部分析,就必须考虑谐波分量,对这些谐
波分量也必须用复包络等效,因此建立的平衡方程是包食有谐波的复包络平衡方程。
1.无源器件的复包络等效
设带通信号为:s(t)=A(t)·cos[2Ⅱfot+o(t)j
对应的复包络信号为:s(t)=A(t)·exp[j由(t)】
当该信号加在电容C上时,产生的电流为:
+c·cos[2Ⅱfct+中(t)】。dA(t)/dt
复包络表示为:
2n
i(t)5 CcA(t)expD(中(t)+Ⅱ门)!
电容的等效复包络电抗为:
2ⅡfcC
z。s(t)/i(t)=10
2
同理,可以得到电感的等效复包络屯抗为j n£L,电阻的等效复包络电阻为R,对于其
‘ 国防科T蚕帅化稼1}l【高速集成电路和微波功率器件重点实验室重点基金项目
~tn2一
他无源器件如传输线,T型结.弯头可以用等效电路表示.即可得到复包络输入时无源器件
的复包络输出. ·
2.有源器件的复包络等效
MESFET[拘内部结构采ff]Curtiee-Ettemberg(C-E)模型【2】,结构图如下:
三个非线性部分的表达式为:
Ids=(Ao+AlVl+A2VI2+A1Vi3)。c柚h(y·Vds)
Cgs=Cgso/(1-Vgs/中)。8
Cgd;Cgso/(I·Vg“中)”
为Ids两端的电压,t为时间延迟.B为夹断变化系数.中为内建电势著。
各个端口信号的复包络表示为:
I-Ⅳ 1 N1
4。。7]
s(f)=Rel∑s。(f)e”“l=∑寺h(r)e“‘+s㈧t
Lk=0 J t·0上
当输入为单音数字信号时,设M(t),N(t)为Cgs两端的基波电压;FII-次谐波电压:
M(t)2Re{m(t)ei。o),N0)2Re{n(t)ei2。“)
re(t)、n(t)分别为M(t)、N(0的复包络表示。
M1(t)=I/4·(Re{3m2(t)m+(t)eJ”)+Re{m’(t)ei“““】)
基波的复包络信号为3/4·m2(Om+0),三次谐波的复包络为1/4·m1(t)。
M(t)‘N(t)=1/2‘(Re{m(0n(0ei’。“}+Re(m(t)n+(t)d““))
基波的复包络信号为1/2·m(On+
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