厚耗尽层面垒探测器及应用.pdfVIP

第9届全国核电子学与棱探测技术学术年会论文集 !!竺竺塑里些竺坚型塑竺坐!!竺壁垒塑!竺竺!坚!壁竺!L 厚耗尽层面垒探测器及其应用 谭继廉许金兰王柱生 王红斌郑志坚 (中国科学院近代物理研究所。兰州，730000) (中国工程物理研究院t成都·610003) 车文播述丁犀度为1．6衄夏t面积为，10mm的全耗尽量面垒探潞嚣的研御及性能·同时蛤出了这种 探测器用于硬x射挂(盐“盂2嘶ev)辐射场的接担潮试结果． 关t调。厚的全耗尽探舅器爱x射线辐射垢 1引售 厚耗尽层A一面垒探测器的研删。主要存在两方面的困难．其一是犄高阻硅单晶材料 的获得．这种材料不但要有特赢的电阻率。还耍有长的步子寿命．无位错·适当的徽缺陷类型 等，也就是要求高纯、高完整性．为此。就要从多晶原料的选择、晶体生长参数的控制(多采用 高真空、深度区熔提纯)等多方面着手．这是一个非常复杂而又十分困难的研制过程．其二·对 探调器制备工艺也有特殊要求，因为厚耗尽层通常需要承受较高的工作偏压，这样必须要求 探测器具有小的反向潼电瘴．为满足这一要求，制备工艺中对单晶硅片的表面处理提出更高 的要求。用以删除表面杂质和获得适当的表面态密度． 厚耗尽层探淀器对于一些棱辐射测量倒如对B粒子、质子、x射线及高能置带电粒子的测 量是必需的．而涉及这些穗量的镊域又十分广泛，倒如孩反应产物的测量，空间带电粒子测 量，与B粒子发射有关的钧理澍量及x射线辐射场的测量等．本文所描述的厚耗尽层Am—Si 面垒探测器就是为蒲足x射线辐射场的测量而研制的． 2厚耗尽层Au一甄面叠探测器的研制 f ＼ ： j ≥! ! j ： - ；凫 ；， 一．歹： 一』k． 二 ～、 图1 11K—n粒于从探测嚣 圈2用厚耗尽层探测器测得 Al面入射面得载的生谱 曲“＆内转换电子能谱 129 ×10·n·cm．少子寿命≥1000坤，采用改进 的面垒工艺，制成灵敏面积为口10mm，厚 度1．6mm的一组(～15块)全耗尽面垒探 测器，金耗尽电压为～z80v．当偏压为 300V时．反向漏电流仅为o．1～o．25pA． 用Thc—c’n源(两组n粒子能量分别为 8．78和6．05MeV)和…cs内转换电子源在 实验室(大气压下)检验了该种探测器的性 能。得到能量分辨率分别为1％和25keV． 分别如图1和图2所示． Mask ectOr 移 ～．film 田3用于模担测量的实验装置 3厚耗尽层Au—si面垒探测器 的初步应用结果 为了测量一个硬X射线(2kevEI 20keV)辐射场的动量和能量分布，可用日 绕辐射源分别安装在不同角度上的多个探 测器组成的系统来进行测量．第一步可用 图3所示的实验装置进行模拟测量，检验 探测器。用激光入射Au平面靶，激发而产 生X射线，其能量为o．1～20keV，让X射 线再入射探测器，并用快示波器来观测探 测器的输出波形。在探测器前面加有限孔 光栏，并加有厚为2肛m的c膜以阻挡晟 2keV的软X射