常压CVD法制备Sb掺杂SnO2薄膜的性能研究.pdfVIP

常压CVD法制备sb掺杂SnO。薄膜的性能研究／邢帅等 · 19· 常压CVD法制备Sb掺杂Sn02薄膜的性能研究 邢 帅，刘钟馨，姜宏，熊春荣 (海南大学海南省特种玻璃实验室，海口570228) 摘要 沉积时间、基板温度以及Sb掺杂量对薄膜结构和红外反射性能的影响。利用x射线衍射(Ⅺm)、扫描电镜(SEM)、 X射线光电子能谱(xPs)等手段对所制备薄膜的结构、形貌、成分进行了分析表征。XRD结果表明薄膜具有四方相 金红石晶型结构，在基板温度为650℃时能制得结晶性能较好的多晶薄膜；XPS结果表明元素sb主要以sb汁的形 式掺杂于Sn02薄膜中。还讨论了sb掺杂量对方块电阻、透射率等薄膜性质的影响。结果表明，当Sb掺杂量为 2％，基板温度为600℃，镀膜时间为4rain时可制备出可见光透过率为75％、红外透过率仅为30％的薄膜，且此时薄 膜方块电阻为38．4 Q／口。 关键词 化学气相沉积薄膜掺杂量基板温度 2015．08．005 中图分类号：TB43；TB34文献标识码：A DOI：10．11896／j．issn．1005—023X of ThinFilmsFabricated Pressure Performance Sn02 CVD Sb-doped byAtmospheric XING Shuai，LIU Zhongxin，JIANGHong，XIONGChunrong Glass ofHainanProvince，Hainan 570228) (SpecialKeyLaboratory University，Haikou AbstractThe filmswere chemical method Sb-dopedSn02 preparedbyatmosphericpressure vapordeposition (CVD)withC4H4SnCl3andSbCl3as ofsubstrate timeandSb precursors．Influencestemperature，depositiondoping amountonstructure，electricaland ofthefilmswerestudied．The andcom— opticalproperties structure，morphology ofthefilmswerecharacterizedand XRD，SEMandXPS．XRD revealedthatthe position analyzedusing patterns pre— was filmshada filmshadarutile thesubstrate over650。C，the pared phase．When temperature highcrystallinity． XPS indicatedthatmostofthe