掺钙铬酸镧高温导电性能的研究.pdfVIP

摘要编号： A030 交流方式 墙报 掺钙铬酸镧高温导电性能研究 林旭平谭威马景陶艾德生邓长生 清华大学核能与新能源技术研究院，精细陶瓷北京市重点实验室 1．目的意义 是由于掺杂铬酸镧陶瓷的导电性与高熔点，铬酸镧作为高温电热材料、固体氧化物燃料电池的连接材料及热 敏l乜阻材料等得到应用。尽管对铬酸镧的导I乜机理进行了大量研究，但高温下的导电机理研究较少，因此， 本文对铬陵镧的电阻率随温度的变化情况进行了研究，对样品中的载流子浓度、品体生长情况进行分析，揭 示不同温度段掺钙铬酸镧陶瓷的导电机理。 2．实验过程 以CaC03、La203为原料，用固相法制备铬酸镧粉体，煅烧后的粉体经球磨后烘干。然后将铬酸镧粉体压 保温时间120min。烧结后的样品加工成5515mm的样条进行电融l率等测试。 3．结果与讨论 Eu．^警Q．ooc耍西Iso叱 1empIC 图lLal．。Ca,,Cr03．A(x=o．2)的电阻率随温度的变化及拟合曲线 掺钙量为20mo!％的铬酸镧样品的电阻率在不同温度下测试值及其拟合曲线如图l所示。样品电阻率随着 温度上升而呈现不断下降趋势。从室温至400C之间，电阻率随温度升高而较快降低。从400℃至600℃时， 电阻率随温度升高下降趋势较缓。600℃以上，电阻率趋于稳定，随温度变化较小。 掺钙铬酸镧中的载流子有两种，一种是由于钙A位取代而造成的Cr离子变价，由C，变为Cr+。形成可 移动电子；另一种是铬酸镧一定温度下形成氧空位．400℃以下，铬酸镧形成的氧空位浓度很低，主要受第一 种因素影响，随着温度的升高Cr对电子的束缚减小，从嘶使电目l率降低；而在400C以上，氧空位浓度增加， 两种因素均存在，从而使电阻率进一步降低。 4．主要结论 铬酸镧掺钙后，A位取代造成Cr离子变价，形成电子电导，同时钙掺杂也影响了铬酸镧的相变温度、晶 格常数；铬酸镧中形成的氧空位也是高温下影响铬酸镧电阻率的重要因素。铬酸镧的电阻率是由两种导电机 制共同作用结果。 联系人简介：林旭平，男，1969年生，副教授，主要从事高温陶瓷、新能源材料和微波介质陶瓷研究。电子邮件： 17 xplin@tsinghua．edu．∞，电话：010897961