原创力文档- 1、本文档共5页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
氧对HL-1M装置原位硅化效果的影响
王明旭张年满王志文王恩耀
严东海崔成河梁雁
(核工业西南物理研究院，成都610041)
the ofIn—situ
Influenceof on effects
Oxygen
SiliconizationJnHL-1M
Wen EnYao
Xu ZhangNianManWangZhi Wang
WangMing
Yan HalChui He
Dong ChengLiangyam
(SouthwesternInstituteofPhysics，
Nuclear 610041)
IndustryMinistry，Chengdu
Abstract：Silicoaizationhas thefirstwall
significantlyimproved conditions，and
inHL·IMTokamak．Inthis influeuce
the performance paper，the
confming ofplasma
onthe ofthesiliconizedonthefirstwalltoldthe and
properties layer impurities
lossofthe hHL·1MTokanmkaredescribed
radiation plasma
loss
Keywords：Oxygen，a-C／Si：Hlayer，Plasmaimpurities，Radiation
摘要：自HL-IM装置采用硅化技术，大大改善了第一壁条件，提高了婶离
子体约束性能。本文就ML-1M．装置运行中氧对硅化涂层性能以及对等离子体杂
质、热辐射的影响进行了研究探讨。
关键词： 氧a-C／Si：H涂层等离子体杂质辐射损失
1．引言
自1996年HL一1M装置采用原位硅化技术处理第一壁以来．使得原硼化壁下已经很骶的
杂质浓度进一步降低．同时又解决了硼化壁再循环大的问题．等离子体约束性能大大提高．
使得弹丸加料、分子束加料和低杂波电流驱动等实验顺利进行：等离子体存在时间延长到
4秒．氧放电极限密度提高到8×10”Oln一。提高THL-1M装置整体运行参数和物理实验水
平。目前，原位硅化已成为HL一1M装置第一壁处理的主要手段。
HL一1M装置采用的原位硅化技术和效果已有叙述“1。本文就氟对HL—lM装簧原位硅化
涂层性能、杂质和辐射损失的影响进行了研究。
2．实验安排
HL一1M装置第一壁原位硅化是在真空室内充入siH．+He混合气体，进行直流辉光放电，在
作为阴极的第一壁表面上沉积一层半透明、非晶、舍硅的半导体涂层。在硅化前，将准备
好的单晶硅片、不锈钢和sMF一800石墨等材料的沉积探针基片送入乩一1M装置．耐÷化后取f}!
槛科学基金项目(H7196C0307)瓷助
进行表面成份、显微结构测试分析．对石墨基探针进行D+束辐照实验(实验方法见文献[2])
真空室气体质谱以研究放电期阃
文档评论（0）